50納米芯片實現量產意味著什麼?

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您說的應該是5NM芯片吧?

目前5納米芯片的工藝是目前刻蝕機的極限,也是人類芯片領域的一次突破,但是也不會因此而停止!還會出現3nm 1nm甚至更小的芯片誕生,或許小於NM一下的芯片誕生才是人類科技的重大事件!

下面解釋一下什麼是刻蝕機

什麼是刻蝕機呢,刻蝕機就是利用離子體對基片表面進行轟擊,基片圖形區域的半導體材料的化學鍵被打斷,與刻蝕氣體生成揮發性物質,以氣體形式脫離基片,從真空管路被抽走,形成所謂的電路,而工藝越高,納米數越少意味著可能節省越來越多的空間,從而是整體芯片做的越來越小,眾所周知,現在手機內部空間做的越來越精細化,但是還是會有一些由於芯片空間位置和大小帶來的問題無法解決,如果芯片的的工藝精度越高就意味著在目前性能的基礎上手機設計會越來越自由。

目前公佈5nm及3nm計劃的只有臺積電和三星兩家,半導體公司沒幾家了,聯電已經放棄了12nm以下的先進工藝,英特爾還掙扎在10nm節點。其中又以臺積電走在第一隊列的頭部,因為臺積電已經提前一年開始建設5nm的生產工廠,預計明年4月可以量產標準,5納米芯片是不是就意味著中國已經突破了製造芯片的難關了嗎,而的3nm臺南園區工廠已經通過了環評初審,預計最快2022年底投產,這速度也是讓其他晶圓代工廠望塵莫及的了。總之,芯片是未來會不會被卡脖子的關鍵節點,同時芯片製造難度也非常大。要想能造出好的芯片,必須有非常高的技術積累,高規格的芯片生產工藝,還需要需要非常強大的通力合作的人才團隊,克服如上問題,才能造出好的芯片。






榮耀科技先行者


前面有回答搞錯了,確實有國產50nm存儲芯片量產,而不是5nm(真要量產5nm,就真的厲害了,臺積電會表示佩服的)。這個消息(見下圖)透露的技術信息,意味著國產存儲芯片在低端市場有飯恰了,但要論對三星有啥影響,三星表示:你先看到我的背影再說哈!

後面說具體原因。

篩選新聞通稿,得到信息如下:

  • NOR Flash閃存,屬於非易失性存儲的一種,斷電後仍能保存數據;

  • 主打物聯網市場,128MB的容量滿足物聯網設備問題不大,畢竟很多數據是不存儲在設備上,應用於手機和安防監控,是指做成存儲卡;

  • 50nm的製造工藝,實話實說,在芯片界屬於上古工藝,英特爾和美光的閃存實現50nm量產是在2007年。也就是說,合肥這家公司和國際先進存儲器製造水平相差13年,代數上落後八九代;

目前國際比較先進的閃存製造工藝是10nm,三星在2013年就實現量產,現在最先進的閃存製造工藝大概是7nm。

國產閃存芯片和國際先進水平的閃存芯片的差距是,還看不到三星等國際巨頭的背影!

當然,50nm閃存芯片量產的價值是,將來不用擔心我們的5G和物聯網在存儲器上被卡脖子。


魔鐵的世界


    合肥成功研發了50nm 128M的高速低功耗NOR Flash芯片,主要面向物聯網領域。這塊芯片只有128M,與我們手機裡動輒64GB、128GB的存儲芯片有什麼區別呢?NOR Flash有什麼優勢呢?知識點來了。

    上圖就是手機裡常用的NAND Flash,以及物聯網設備、BIOS經常採用的NOR Flash,相比來說NOR Flash單位成本遠遠高於NAND Flash。至於他們各自的電氣原理,這裡就不說了,很多人也不感興趣,主要說說兩者的共性和特性上。


    共性

    ①都是非易失存儲介質,也就是說掉電後不會丟失內容。

    ②寫入之前都要先擦除,然而兩者的機制不同:NOR Flash的一個bit可以從1變成0,而從0變成1這要整塊擦除;NAND Flash都需要擦除。


    特性

    不同的類型的Flash,特性是不同的,也決定了應用場合不同,如下圖所示▼。

    簡單來說,NOR相比NAND,讀取速度更快,寫入速度慢,支持XIP特性,可以直接執行二進制代碼,價格更高。

    應用場景

    NOR Flash

    NOR Flash支持XIP(eXecute In Place)的特性,也就是說可以像普通內存一樣支持隨機訪問,可以像普通ROM那樣執行程序,這一特性讓NOR Flash成為BIOS等開機就可以執行的代碼的絕佳載體。


    現在幾乎所有的BIOS、一些機頂盒都使用了NOR Flah,也可以用於大量的物聯網設備,比如智能穿戴、智能音箱、無線藍牙耳機等等。

    NAND Flash

    NAND Flash主要用於各種存儲卡、U盤、SSD、eMMC、UFS等大容量設備,根據顆粒的每個存儲單元可以存儲的比特個數不同,分為SLC、MLC、TLC三類,其中,在一個存儲單元中,SLC可以存儲1個bit,MLC可以存儲2個bit,TLC則可以存儲3個bit。

    單個存儲單元存儲的比特位數越多,讀寫性能變差,壽命變短,成本降低。因此高端的SSD會採用MLC,甚至是SLC,低端的SSD採用了TLC,SD卡一般也會使用TLC。


    總之,在眾多的半導體存儲器中,NAND Flash、DRAM佔據了98%的市場份額,Nor Flash市場規模較小,不到1%,然而隨著5G、AMOLED、TWS等下游市場的推動,Nor Flash市場規模逐漸恢復,在物聯網時代將會有大量的需求。

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