WS8384
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【長江存儲128層閃存研發成功，可我們離存儲芯片降價還有很長一段路】
可以說這個消息是非常振奮的，4月13日，長江存儲在官網宣佈其128層QLC 3D NAND閃存芯片X2-6070研發成功，並已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。
根據其內容顯示，長江存儲X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。這一次同時發佈的1128層512Gb TLC（3 bit/cell）規格閃存芯片，能夠滿足不同場景的需求。
並且，我們也獲知它還能夠帶來1.6Gb/s高速讀寫性能和1.33Tb高容量,也證明了Xtacking架構的前瞻性和成熟度。
實際上存儲芯片對於我們來說非常的重要因為它不僅僅能夠運用到我們所熟知的手機更主要的，它能夠運用到AI，物聯網以及雲計算等各個方面。
它不僅僅是能夠保證終端的存儲要求更能夠提升運行的速度；而在目前，NAND的單價價格雖然有所下降，當然對於很多終端來說，仍然是保持著高價比。
隨著我們對於物聯網的需求加深，存儲芯片表現的越來越重要，不管是普通的個人消費者，還是企業級的市場，存儲芯片的作用表現的尤為重要。很多企業都在不斷的採購存儲設備，這些存儲設備，它們的表現也不同。
這裡也包括品牌，比如說三星，海力士，鎂光，英特爾，東芝等等一些老牌廠商，他們都佔據著非常大的主流市場。對於我們來說，如何打破它們的市場佔比，這是一個需要我們花費長期的時間去研究突破的。
確實長江存儲在這一次128閃存研發成功，給了我們很大的信心，但是也給了我們很多的警示，我們目前仍然是處於相對劣勢的階段，要想能夠佔據絕對的優勢，還需要有一段路要走。
LeoGo科技
2020年4月13日，長江存儲科技宣佈其128層QLC 3D NAND閃存研已經發成功，並已通過多家控制器廠商SSD等終端存儲產品使用驗證（型號： X2-6070），並且同時發佈了128層512G TLC規格閃存芯片“X2-9060”。
國內芯片企業的崛起
作為業內首款128層QLC規格的3D NAND閃存，X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。X2-6070和X2-9060在1.2V Vccq電壓下均可實現1.6Gbps（Gigabits/s 千兆位/秒）的數據傳輸速率，為當前行業內最高。也就是說目前我們的芯片技術已經達到全行業的領先水平。
硬盤等存儲設備價格的下降
科技改變生活，在擁有新的工藝技術，我們的閃存芯片不在受制於人，在相同的存儲面積下，128層的3D NAND閃存存儲容量就越大，大家可以看到的是目前1TB手機存儲設備很少見到，但是長江存儲的這款工藝上市後，1TB的手機容量也不是問題。
芯片製造廠家的匹配
目前最快閃存顆粒是東芝的BiCS5（這也是現在市面上幾款PCIe 4.0 SSD使用的閃存顆粒），最高傳輸速度為1.2GT/s。據說下一代的BiCS6可以達到1.6GT/s，和長江存儲這次發佈閃存持平。8顆組成的1.33TB型號讀取速度大概是6.4GB/s，這個速度的話目前還有哪款主控能達到這個性能，但是不管怎麼說，在容量方面算是已經達到了行業領先水準了，並期待更多的廠商參與進來，建設國內自己的各大硬盤品牌。
總結
國內各科技行業迎來重大突破，也是展現了我國的綜合實力和地位，擁有自己的核心技術，從此我們也不在受它人限制，厲害了，我的國！
小虎科技
喜大普奔，雖然不想提，但是沒辦法只有菊廠有全產業的集成能力…
菊廠手機裡面也就dram和nand不能國產了，現在長鑫有lpddr4x，長江有nand。ufs封裝應該難度較小吧，菊花自己也是jedec成員，開發一個ufs主控理論上對海思沒有技術難度。至於ssd主控，菊廠應該也有方案。
