90年代开始，被“留学热”影响的中国学子不计其数。其实我很能理解，毕竟那个时候中国还在发展初期，教育的硬件、软件都比不上国外，科研条件、薪资待遇更是没法比，但我不能理解的是，为什么“留学热”持续至今仍没有“退烧”的迹象。现如今只要有钱的家庭，孩子必定送出国，说的不好听，靠钱留学的孩子们成绩是其次，“镀金”最重要。我觉得，大家的观念应该改一改，以现在中国教育和科研水平，在国内发展也可以做出成绩，今天我就要介绍这样一位，坚决不出国却做出世界级科研成就的北大才女——黄芊芊。
黄芊芊，1989年出生于江西省上饶市信州区，高中就读于上饶一中，是学校数一数二的尖子生。2006年高考，黄芊芊高分考入北大信息技术学院微电子学系，那一年，她还只有17岁。本科毕业后，她没有和很多同学一样出国留学，而是继续留在北大深造，5年过后，黄芊芊又顺利在北大读完博士。读博这5年，是荣耀的5年，黄芊芊不仅综合成绩第一，还先后获得教育部博士研究生学术新人奖、北京大学学术十杰、北京市优秀毕业生、中国电子学会优秀博士论文等多项奖励和荣誉。
2016年，黄芊芊获得“中国博士后科学基金特别资助”；2017年，入选“未来女科学家计划”，同年能入选这一计划的青年科学家，全国只有4人，也就是在这一年，黄芊芊入职北大，成为微电子学系的研究员、博士生导师；2018年，她又获得国家优秀青年科学基金项目资助；2019年，当选中国电子学会青年女科学家俱乐部第一届理事会理事。
2019年10月，黄芊芊获得她人生最重要的奖项之一，因为在超低功耗微纳电子器件基础研究领域的重要贡献，美国电气和电子工程协会（IEEE）在召开国际电子元件会议（IEDM）时，将2019年年度“IEEE青年成就奖”，颁发给了中国青年科学家黄芊芊。
这个IEDM会议有多牛？这可是被誉为“微电子器件领域的奥林匹克盛会”，会议始于1955年，在国际上有很高的学术地位和影响力。2019年，全球仅有3人获奖，黄芊芊是亚洲地区唯一一位！
黄芊芊为啥能拿这个奖？答案很简单，她实力够强！别看黄芊芊如今才30出头，但已经取得众多科研成就：她研制出的新机理超低功耗器件打破了国际上硅基隧穿器件的亚阈摆幅纪录，器件综合性能为国际报道中器件同类最高，相关成果被知名国际科研机构引用，黄芊芊此项研究成果，还与中国最先进集成电路芯片制造企业合作，研制了世界上首个基于12英寸CMOS生产线的互补隧穿器件集成技术。
可能专业名词太多，大家和我一样一脸懵，我们可以简单理解：黄芊芊研制出的电子器件，是国际同类产品中最好的，外国科研机构也借鉴此项技术，此外，黄芊芊此项成果为中国芯片制造带来了福音。
最后，我想说给那些一门心思往国外跑的学子们听：看到没有，不是只有出国才能做出成就，中国的教育和科研硬件，也能培育出顶级科学家。中国学子在海外做出成绩，不能为国所用也是枉然，像黄芊芊这样既能做出成就又爱国的科学家，才称得上中国骄傲。
