集微網消息（文/圖圖）長鑫存儲產能正在爬坡、武漢新芯產能利用率達到100%、百億中鴻新晶第三代半導體產業集群項目落地濟南、華為自研GaN快充充電器主控芯片、日月光拿下中興通訊5G基站芯片訂單、雲塔科技推出自主研製5G毫米波濾波器…….
簽約、開工浪潮過後，本週有部分重大項目與企業傳捷報。
長鑫存儲
據新華社報道，在長鑫存儲技術有限公司，一臺臺來自全球各地的設備正在緊鑼密鼓地安裝調試中。這是長鑫存儲2019年投產的內存芯片設計和製造項目，它給全球半導體設備和耗材供應商帶來共贏商機。長鑫存儲執行副總裁劉紅雨表示，公司產品已通過部分頭部企業的產線驗證，產能正在爬坡，今年計劃月產4萬片12英寸晶圓。
武漢新芯
據武漢新芯官方消息，在70多天的防疫戰中，武漢新芯廠內員工、廠商人員及所有後勤保障人員無一感染。同時，隨著武漢防疫形勢的好轉，武漢新芯也從3月28日開始，產能利用率達到100%，並從4月6日開始，連續創出日運載率指數歷史新高。
此外，在過去兩個多月的防疫戰中，武漢新芯綜合產能利用率始終保持在70%以上。
中鴻新晶第三代半導體產業集群項目
4月8日，中鴻新晶第三代半導體產業集群項目（彩虹集團LED）簽約落地濟南。中鴻項目計劃總建設週期5年，項目總投資111億元，完成併購瑞典ASCATRON公司，致力於打造全球領先的“國家級戰略新興半導體研究院”。
該項目一期產業投資8億元，計劃3年內完成第三代半導體產業集群初步建設，完成深紫外LED生產線20條，6-8英寸碳化硅單晶生產、加工、碳化硅外延生產線各2條，氮化鎵中試線1條。一期完成後，將實現年產值20億元。項目二期投資51億元，完成第三代半導體產業基金的募集工作，併購瑞典ASCATRON（艾斯科強）公司，計劃2年內完成6-8英寸碳化硅單晶擴產、6-8英寸氮化鎵外延、射頻器件、功率器件生產線各1條。二期完成後，將實現年產值120億元。項目三期投資52億元，將ASCATRON公司後續芯片生產全部轉移至中國，項目建成後預期將帶動上下游產業近千億元產值。
徐州鑫晶半導體大硅片項目
據徐州日報報道，作為江蘇省級重大產業項目，徐州鑫晶半導體大硅片項目年內將全部竣工投產。
徐州鑫晶半導體大硅片項目總投資150億元，一期投資94.5億元，是協鑫集團在江蘇鑫華半導體項目投產之後，在徐州的又一佈局。該大硅片項目規劃建設國際先進的8英寸、12英寸半導體大硅片長晶及切磨拋生產線，規劃產能各30萬片/月。2019年12月9日，徐州鑫晶半導體12英寸大硅片長晶產線試產成功。
靖江先鋒半導體
自2019年啟動新廠區建設後，目前靖江先鋒半導體科技有限公司基建工程主體已經完工，預計6月份投產。據靖江市科學技術協會消息，目前，該企業新研發的用於5納米芯片工藝的刻蝕機核心零部件已經研發成功，在新廠區投用後即將投入生產。
華為
4月8日晚，華為2020春季新品發佈會正式發佈65W GaN雙口超級快充充電器，支持Type-A和Type-C雙口充電，能給手機、平臺和PC充電。
關於華為GaN快充充電器的電源管理IC芯片，據《科創板日報》報道，有行業人士推測為華為所投的傑華特和海思共同開發的自研芯片。
但《科創板日報》記者分別從供應鏈和華為內部獲悉，這款充電器的主控功率IC芯片，實際由華為自研，而傑華特並沒有參與，並從供應鏈獲悉，華為充電器新品整體外包給住友電工，核心的GaN MOSFET由穩懋半導體代工。
此外，據The Elec本週報道，華為公司今年將在韓國成立雲計算和人工智能業務集團，以打入目前由英偉達主導的GPU服務器市場。
日月光
據電子時報報道，繼華為海思後，日月光投控進一步以2.5D/interposer技術為基礎的先進封測製程，拿下中興通訊自主開發5G基站芯片量產大單。
雲塔科技
近日，安徽雲塔電子科技有限公司聯合中國科學技術大學微電子學院，發佈了其自主研製的5G毫米波濾波器。
雲塔科技向集微網記者表示，目前在全球範圍內，工作在毫米波頻段的微型濾波器解決方案近乎空白。這是中國廠商首次在5G毫米波頻段研製成功該類微型化濾波器產品，尺寸僅為2.5×2.0mm。
瓴盛科技
集微網還從業內人士處獲悉得知，瓴盛科技即將推出第一款面向多領域的AIoT芯片產品，該款芯片一次性流片成功，預計將於今年下半年正式量產。（校對/小如）
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