4月13日，長江存儲科技有限責任公司(簡稱“長江存儲”)宣佈其128層QLC3DNAND閃存(型號：X2-6070)研發成功，並已在多家控制器廠商的終端存儲產品上通過驗證。
同時，該公司發佈了兩款128層3DNAND芯片產品，分別為容量1.33Tb的128層QLC3DNAND閃存和512Gb的128層TLC3DNAND閃存(型號：X2-9060)。
長江存儲X2-6070128LQLC1.33Tb3DNAND
長江存儲市場與銷售高級副總裁龔翊（Grace）表示：“作為閃存行業的新人，長江存儲用短短3年時間實現了從32層到64層再到128層的跨越。這既是數千長存人汗水的凝聚，也是全球產業鏈上下游通力協作的成果。隨著Xtacking2.0時代的到來，長江存儲有決心，有實力，有能力開創一個嶄新的商業生態，讓我們的合作伙伴可以充分發揮他們自身優勢，達到互利共贏。”
Xtacking2.0進一步釋放閃存潛能②
得益於Xtacking架構對3DNAND控制電路和存儲單元的優化，長江存儲64層TLC產品在存儲密度、I/O性能及可靠性上都有不俗表現，上市之後廣受好評。
在長江存儲128層系列產品中，Xtacking已全面升級至2.0，進一步釋放3DNAND閃存潛能。在I/O讀寫性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2VVccq電壓下實現1.6Gbps（Gigabits/s千兆位/秒）的數據傳輸速率，為當前業界最高。由於外圍電路和存儲單元分別採用獨立的製造工藝，CMOS電路可選用更先進的製程，同時在芯片面積沒有增加的前提下Xtacking2.0還為3DNAND帶來更佳的擴展性。未來，長江存儲將與合作伙伴攜手，構建定製化NAND商業生態，共同推動產業繁榮發展。
長江存儲通過對技術創新的持續投入，已成功研發128層兩款產品，並確立了在存儲行業的技術創新領導力。憑藉1.6Gb/s高速讀寫性能和1.33Tb高容量，長江存儲通過X2-6070再次向業界證明了Xtacking架構的前瞻性和成熟度，為今後3DNAND行業發展探索出一條切實可行的路徑。龔翊（Grace）強調：“我們相信，長江存儲128層系列產品將會為合作伙伴帶來更大的價值，具有廣闊的市場應用前景。其中，128層QLC版本將率先應用於消費級SSD，並逐步進入企業級服務器、數據中心等領域，以滿足未來5G、AI時代多元化數據存儲需求。”
128層3D NAND是業界主流技術，也是各國際大廠爭奪的焦點。三星在2019年8月宣佈推出首個100+層的TLC3DNAND閃存；
美光在同年10月初宣佈第一批第四代3DNAND閃存芯片流片出樣；
海力士在11月宣佈128層TLC的3DNAND閃存產品出樣。
相比這些大公司，長江存儲成立短短4年，就已經發布了128層的閃存產品。半導體行業評論員、芯思想研究院創始人趙元闖認為，長江存儲此次發佈128層產品意味著其朝閃存行業第一梯隊邁進。
在長江存儲的一位合作伙伴看來，128層閃存應該是一個長生命週期產品。長江存儲此番越過96層，直接量產128層，是為了加速追趕國際先進，以步入盈利軌道。
一個細節是，長江存儲此次與巨頭走了不同的路，用了QLC技術。
X2-6070充分發揮QLC技術特點
QLC是繼TLC（3bit/cell）後3DNAND新的技術形態，具有大容量、高密度等特點，適合於讀取密集型應用。每顆X2-6070QLC閃存芯片擁有128層三維堆棧，共有超過3,665億個有效的電荷俘獲型（Charge-Trap）存儲單元，每個存儲單元可存儲4字位（bit）的數據，共提供1.33Tb的存儲容量。如果將記錄數據的0或1比喻成數字世界的小“人”，一顆長江存儲128層QLC芯片相當於提供3,665億個房間，每個房間住4“人”，共可容納約14,660億“人”居住，是上一代64層單顆芯片容量的5.33倍。
閃存和SSD領域知名市場研究公司ForwardInsights創始人兼首席分析師GregoryWong認為：“QLC降低了NAND閃存單位字節（Byte）的成本，更適合作為大容量存儲介質。隨著主流消費類SSD容量邁入512GB及以上，QLCSSD未來市場增量將非常可觀。”Gregory同時表示：“與傳統HDD相比，QLCSSD更具性能優勢。在企業級領域，QLCSSD將為服務器和數據中心帶來更低的讀延遲，使其更適用於AI計算，機器學習，實時分析和大數據中的讀取密集型應用。在消費類領域，QLC將率先在大容量U盤，閃存卡和SSD中普及。”
閱讀更多 張半仙 的文章
