重磅消息，ROHM原先針對工程師群體的技術分享網站TechWeb已全面升級，正式變為電源設計技術信息網站“R課堂”，主打內容包含基礎知識、TECH INFO、設計資料、產品信息、研討會信息等內容，分類明確，內容豐富，助力所有工程師高效學習！不管你之前是否對它有所瞭解，先聽小R介紹一波~
“
羅姆社區“R課堂”直達入口（社區首頁左下方-技術支持-R課堂），從社區首頁亦可快速到達“R課堂”學習知識。
“R課堂”內容介紹
如你所見，“R課堂”包羅萬象，包含了“基礎知識、Tech Info、設計資料、產品信息、研討會信息” 五個版塊，涵蓋了電源、功率轉換、切換電路時所需的電源IC或功率元器件的基礎知識，電源設計的最新信息動態，以及AC/DC轉換器、DC/DC轉換器、SiC等功率元器件的選型手冊、設計手冊和評估套件等應用信息的下載。無論是具體器件還是應用方向，都能為工程師提供優質又便捷的學習內容。
R課堂”類別介紹
基礎知識/Basic knowledge：圍繞電源、功率轉換、切換電路時所需的電源IC或功率元器件，講解基礎知識以及設計、評估和傳遞函數的基本。
Tech Info：介紹電源設計的最新信息、動態和產品信息，包含“重點必看”、“來自工程師的聲音”以及“創造發明”三個模塊。
設計資料：可下載AC/DC轉換器、DC/DC轉換器、功率元器件的選擇手冊、設計手冊、評估套件等應用信息。
產品信息：可以通過產品陣容樹狀結構和產品特點，輕鬆地找到最合適的電源IC、Si以及SiC材料的功率場效晶體管和二極管等相關產品。
為了慶祝羅姆”R課堂”的全新上線，小R特意準備了社區送福利活動，感興趣的小夥伴們繼續往下看吧
活動方式：在本帖下方留言，說出“R課堂”中你喜歡或感興趣的內容，並說出原因（文章內容&產品類別&資料等），每人每天最多回復4次(留言不可重複）
活動獎勵：按照規則留言即可獲得50金幣/次，其中100樓可得200ROHM金幣、200樓可得400ROHM金幣，以此類推（金幣積累下來有何用？？先去商城看一看）
其中88樓、188樓、288樓、388樓、488樓、588樓可獲得1000ROHM金幣
重量級驚喜禮品：優質留言將有機會獲得小R送出的 “美的二合一家用吸塵器”
溫馨提示/Tips：嚴禁灌水回覆，例如“頂”，“喜歡”等，越走心的留言獲獎的可能性越大呦~
故障排除(Trouble Shooting) ③：當VDS2受浪湧影響超過二次側MOSFET的VDS耐壓時
針對這種故障③的對策有三種左右，個人認為還應該針對所設計的電路的功率大小也有關聯
用ROHM Arduino傳感器套件打造DIY萬聖節殭屍面具，
該傳感器能夠檢測到任何在面具前面移動的物體，並且會亮起紅色，嚇唬那些不速之客！
可能上手容易，開發較快
採用4引腳封裝的SiC MOSFET : SCT3xxx xR系列
採用4引腳封裝
開關損耗比以往產品低35％
4引腳封裝TO-247-4L可將開關損耗降低約35％,,,,,,,,,,,,,在設計汽車電源時可以節省功耗,而且可以設計電路板時節省設計佈局空間至關重要
採用4引腳封裝 開關損耗比以往產品低35％，介紹了新的器件 SCT3xxx xR系列，系列是面向服務器用電源、太陽能逆變器和電動汽車充電站等要求高效率的應用開發而成的溝槽柵極結構SiC MOSFET，採用4引腳封裝。此次共推出6款機型（650V耐壓和1200V耐壓）。
採用4引腳封裝開關損耗比以往產品低35％。近年來，隨著AI和IoT的發展與普及，對雲服務的需求日益增加，與此同時，在全球範圍對數據中心的需求也隨之增長。數據中心所使用的服務器正在向大容量、高性能方向發展，在這種背景下，如何降低功耗就成為一個亟需解決的課題。因此，損耗更少的SiC元器件備受矚目。SCT3xxx xR系列的性能非常適用於服務器、基站、太陽能逆變器、蓄電系統、電動汽車的充電站等應用。
實裝PCB板佈局相關的注意事項:
要點①：當VCC線受到開關噪聲的影響時，可能會誤動作。因此，建議在VCC引腳和SR_GND引腳之間對電容器CVCC獨立佈線，並儘量連接到引腳的附近。
要點②：連接於SH_IN引腳的線路是高阻抗線。為了避免串擾，佈局時請儘量縮短佈線，並且不要與開關線平行佈線。
要點③：MAX_TON引腳在受開關影響時會影響到強制關斷時間，因此建議將RTON、R3、C1儘可能地靠近MAX_TON引腳連接，並通過獨立佈線連接SR_GND引腳。
要點④：在同步整流控制中，需要準確監測二次側MOSFET M2產生的VDS2，因此請務必通過獨立佈線將IC的DRAIN引腳連接到M2的漏極，將SR_GND引腳連接到M2的源極。
要點⑤：建議通過獨立佈線將分流穩壓器GND（SH_GND）連接到二次側輸出的GND，將反饋電阻RFB1和RFB2連接到二次側輸出VOUT。
要點⑥：由於DRAIN引腳是振幅約0V－100V的開關線，因此請儘可能地採用短且細的佈線。
要點⑦：在MOSFET M2的漏極－源極間插入緩衝電路時，變壓器輸出和M2的源極請儘可能地採用短且粗的獨立佈線。
關鍵要點:在改為二次側同步整流電路的過程中，大多數PCB板佈局相關的注意事項，都是以開關電源電路的佈局為基礎的。
採用4引腳封裝：TO-247-4L，可最大限度地發揮SiC MOSFET本身的高速開關性能。和以往的3引腳封裝TO-247N相比，開關損耗可降低約35％，提高了效率。
故障排除(Trouble Shooting) ② : 當二次側MOSFET在輕負載時因諧振動作而導通時通過減小濾波用電阻R1的值，使VDS2的諧振振幅降低，可防止二次側MOSFET誤導通。作為故障①的對策，曾提到過加大R1值的方法，但是如果R1過大，或最初的選擇值過大，就需要重新向減小的方向調整R1的值。
滿足汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101的SiC MOSFET
車載用SiC MOSFET又增10個型號，業界豐富的產品陣容！
為了延長xEV的續航距離，要求車載充電器實現高輸出、高效率,畢竟車載充電器是汽車所必須的產品,而且車載充電器用的SiC MOSFET產品的好壞也關係到安全問題
SiC的優點
如前文所述，利用SiC可以大幅度降低能量損耗。當然，這是SiC很大的優點，接下來希望再瞭解一下低阻值、高速工作、高溫工作等SiC的特徵所帶來的優勢。
通過與Si的比較來進行介紹。”低阻值”可以單純解釋為減少損耗，但阻值相同的話就可以縮小元件（芯片）的面積。應對大功率時，有時會使用將多個晶體管和二極管一體化的功率模塊。例如，SiC功率模塊的尺寸可達到僅為Si的1/10左右。
關於“高速工作”，通過提高開關頻率，變壓器、線圈、電容器等周邊元件的體積可以更小。實際上有能做到原有1/10左右的例子。
“高溫工作”是指容許在更高溫度下的工作，可以簡化散熱器等冷卻機構。
關鍵要點:
・開發SiC是能源問題的一大解決方案。
・SiC具有降低損耗、實現小型化的巨大優勢。
採用4引腳封裝開關損耗比以往產品低35％。近年來，隨著AI和IoT的發展與普及，對雲服務的需求日益增加，與此同時，在全球範圍對數據中心的需求也隨之增長。SCT3xxx xR系列的性能非常適用於服務器、基站、太陽能逆變器、蓄電系統、電動汽車的充電站等應用。
擁有共91種機型！LDO線性穩壓器的新產品陣容決定實際輸出電流的要素。
新LDO線性穩壓器的G系列、H系列、I系列，產品陣容共擁有91種機型。輸出電壓有可變型0.8V～13V，及固定型從1V到12V的共14種電壓，輸出精度高達1%。輸出電流有0.3A～1.5A共4種電流，這些組成強大矩陣
所謂反激式
反激方式是常使用在至100W左右的開關電源上的方法。
反激方式分有自勵型的RCC(Ringing Choke Converter）、他勵型的PWM型、利用共振技術RCC準諧振型等3種。
關鍵要點:・利用變壓器的DC/DC轉換應用範圍較大，因此必須熟悉其基本工作模式。
關於安裝的課題 －嘯叫
①通過材料進行改善
開發出使用了逆壓電效應很低、即變形較小的電介質材料的MLCC。基本上如右圖所示，低介電常數材料的失真更低。例如，有LD（Low Distortion）系列等可降低嘯叫的產品群。
②通過電路板設計進行改善
這是PCB板方面的改善。例如，對於同一電源線，如圖所示，兩面安裝相同的MLCC。兩個MLCC的振動相反相互抵消，振動被緩解。
③通過結構進行改善：LW（長度-寬度）逆轉結構
MLCC的電極間的長度通常大於寬度。通過縮短電極間的長度，可減輕導致PCB板振動的電極間的變形。如圖所示，準備了寬度較電極間寬的類型的MLCC。圖中稱為“RGC”的是逆轉結構型。
④通過結構進行改善：金屬框架型
在彎曲應力的對策中提過的金屬框架型MLCC也有助於改善嘯叫。從結構立刻可以想象到，金屬框架吸收MLCC的振動。
SCT3xxx xR系列，旨在通過採用最新的溝槽柵極結構，實現更低的導通電阻和傳導損耗；通過採用4引腳封裝，進一步發揮出SiC本身具有的高速開關性能，並降低開關損耗。
SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導體材料。其結合力非常強，在熱、化學、機械方面都非常穩定。SiC存在各種多型體（多晶型體），它們的物理特性值各有不同。
瞭解了 SiC功率元器件具有耐高溫、耐高壓、低導通電阻、高速的特點。是不錯的半導體材料。
簡化48V混合動力系統的電源，降低損耗
兩步變為一步，其實有諸多好處。首先，效率得到改善。而且，2個電源電路變為1個，可減少PCB板的安裝空間和元器件數量。
閱讀更多 與非網 的文章
