【IT168 資訊】今日，紫光集團旗下長江存儲宣佈其128層QLC 3D NAND閃存（型號： X2-6070）研發成功，並已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。
在與當前全球已公開發布的3D NAND閃存芯片進行對比後，長江存儲稱，X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。
此次同時發佈的還有128層TLC規格閃存芯片（型號：X2-9060），以滿足不同應用場景的需求。
長江存儲X2-6070 128L QLC 1.33Tb 3D NAND，來源：長江存儲
3D NAND技術由英特爾和鎂光的合資企業所研發，通過將傳統NAND（2D NAND）平面架構升級為多層存儲單元垂直堆疊的方式，解決了當時2D NAND技術所存在的限制——簡單來說就是將平房改造成了高樓大廈。
與2D NAND相比，3D NAND能夠實現更高的容量、更低的功耗、更高的性能和更低的成本。而提高3D NAND的層數，也成為了現在幾乎所有閃存芯片廠商的努力方向——128層正是當今全球範圍內第一梯隊所能夠達到的水平。
另一方面，QLC是繼SLC、MLC、TLC之後3D NAND的又一新技術形態，具有大容量、高密度等特點，適合於讀取密集型應用。如果說3D NAND是將平房改造為高樓大廈的話，“XX”LC技術，就是提高每單個房間的容量。QLC每存儲單元可存儲4 bit的數據，TCL則為3 bit，MLC為2bit，SLC為1bit。每個單元存儲的bit數越高，閃存芯片容量就越高，成本更低。但相應的，也會犧牲一定的性能與使用壽命。
不過隨著數字時代存儲需求的多樣化，在不同的場景下，每種技術都有其用武之地。長江存儲此次發佈的兩款芯片中，基於QLC技術的X2-6070可提供單顆NAND閃存芯片1.33TB的容量，而基於TLC技術的X2-9060容量為512GB ，可廣泛應用於大容量存儲場景中。
從長江存儲公佈的數據來看，此次發佈的產品在性能上也達到了同類型產品的全球頂尖水平。據該公司披露,在I/O讀寫性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實現1.6Gbps（Gigabits/s 千兆位/秒）的數據傳輸速率，為當前業界最高。
長江存儲市場與銷售高級副總裁龔翊（Grace）在官方公告中表示：“作為閃存行業的新人，長江存儲用短短3年時間實現了從32層到64層再到128層的跨越。這既是數千長存人汗水的凝聚，也是全球產業鏈上下游通力協作的成果。隨著Xtacking 2.0時代的到來，長江存儲有決心，有實力，有能力開創一個嶄新的商業生態，讓我們的合作伙伴可以充分發揮他們自身優勢，達到互利共贏。”
獨創的Xtacking架構
龔翊提到的Xtacking是長江存儲研發的3D NAND架構，於2018年首次對外公佈。據長江存儲表示，採用Xtacking，能夠使3D NAND擁有更快的I/O接口速度、更高的存儲密度、更短的生產週期，同時只增加了有限的成本。
本次發佈的128層系列3D NAND閃存芯片，採用的就是經過全新升級的Xtacking2.0技術，進一步釋放3D NAND閃存潛能。長江存儲指出:”由於外圍電路和存儲單元分別採用獨立的製造工藝，CMOS電路可選用更先進的製程，同時在芯片面積沒有增加的前提下Xtacking 2.0還為3D NAND帶來更佳的擴展性。”
長江存儲表示,新發布的X2-6070和X2-9060這兩款產品已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證.從這兩款新品身上,足以看出長江存儲在3D NAND閃存領域的前瞻性與技術領先性.
此外在市場應用方面，龔翊指出，128層QLC 版本將率先應用於消費級SSD，並逐步進入企業級服務器、數據中心等領域，以滿足未來5G、AI時代多元化數據存儲需求。在長江存儲所展現的全情投入以及持續創新之下,我們有理由相信,未來它將在閃存領域發揮更大的價值。
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