手機越用越慢，排除各類軟件後臺等因素，手機存儲也會影響手機運行速度，特別是在可用空間較少的時候。
什麼是 NAND 閃存？
內存顆粒又稱閃存，是一種非易失性儲存器，掉電不會丟失內容。閃存顆粒有很多變種，其中 NAND 閃存常用於固態硬盤、手機存儲器。
閃存顆粒：
根據 NAND 顆粒每個單元內儲存的比特數不同又可以分為 SLC（Single-Level Cell）、MLC（Multi-Level Cell）、TLC（Triple-Level Cell）和 QLC（Quad-level cell）
儲存密度越高讀寫性能可能會越差、壽命會越短，但成本越低。目前市面 90% 以上的固態硬盤、手機都是 TLC 顆粒。
TLC 顆粒壽命一般在1000次完全寫入（1000 P/E）左右。所謂完全寫入，例如 128G 存儲，寫入 128G 數據為一次 P/E。
NAND 顆粒的組成：
在 NAND 閃存顆粒中：
1.Block 是最小的擦除單位 Block 包含多個 Page。
2.Page 是最小的寫入單位 。
3.刪除數據時，數據並沒有擦除，而是把文件的儲存空間（Page）標記為作廢。
4.必須先擦除才能寫入數據
當寫入數據的時候：
如果存儲空間充足，芯片會找一個新的（乾淨的/擦除過的） Block 以 Page 為單位寫入數據。
如果沒有太多空閒容量時（已經沒有閒置的（乾淨的）整個Block，只有作廢的 Page），芯片會將某個 Block 讀取到緩存，然後將原本的數據和新添加的數據一起寫入剛才的 Block 。
這種情況造成了原本只需要寫入一個 Page 變成了一個 Block，這就是閃存的寫放大（Write Amplification）。這種情況下原本只要寫入 4K 的數據，卻造成了整個 Block 的寫入，寫放大128倍。重新寫入整個 Block 的操作造成速度變慢。
可用空間不足時寫入數據的步驟：
前面提到 NAND 閃存擦寫次數是有限的，寫放大不僅使寫入性能下降而且加速了 NAND 閃存的磨損。
垃圾回收（Garbage Collection）
當我們刪除文件的時候，系統利用 Trim 命令通知閃存主控，閃存主控將他們標記為廢塊，不再搬動數據。並在適當的時間回收廢塊。
壽命均衡（Wear Levelling）
為了避免某些物理快在寫入後就沒有再次更改（例如系統文件），而一些塊不斷的擦寫導致有些塊壽命還很長，而有些塊磨損嚴重，閃存主控會在適當的時機給文件更換位置。
結論：
從上面可以看到閃存主控會在適當的時機不斷的騰挪數據存儲在 NAND 閃存物理塊的位置，起到均衡磨損、減少寫放大的作用。
隨著數據越來越多，閃存存儲空間越來越少，留給主控騰挪的空間也越來越少， IBM Zurich Research Laboratory 做的研究表明寫放大和空閒空間關係極大。如下圖：
空閒塊少後，寫放大達到3-4倍，當閃存存儲空間使用大於75%後，會因為寫放大而大大降低寫入性能。所以刪除掉一些文件吧。
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