最近，美光在二季度財報電話會議上透露出自己的新計劃，那就是他們即將要開始量產基於全新RG架構的第四代3D NAND存儲器。
據悉，美光將會在2020年第三季度對第四代3D NAND存儲器開始生產，並在第四季度向客戶發貨。
第四代3D NAND存儲器是美光一次重大的技術轉型，該公司用替換門(RG)技術取代了與英特爾合作時期使用了多年的傳統浮柵技術，而且，此次的第三代存儲器層數達到了128層。
美光RG技術的完整設計，而且希望本次技術轉型可以將管芯尺寸減小、減低成本、提高性能，並且更加輕鬆的過渡到更多層的下一個節點。
目前美光也向投資者表明，新產品量產工作要儘早開展，但是，他們也不會再今年全部轉型生產RG架構芯片，因為早期的良率還有再提高的空間。
美光首席執行官Sanjay Mehrotra表示，美光在向RG技術過渡方面取得了很重達的進展，到2020年底，這項技術將會成為NAND總供應量重要的組成部分。
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