美光在二季度財報電話會議上透露，該公司即將開始基於全新 RG 架構的第四代 3D NAND 存儲器的量產工作。 按照計劃，美光將於 2020 Q3 採集開始生產，並於 Q4 像商業客戶發貨。作為這家硬件製造商的一次重大技術轉型，第四代 3D NAND 存儲器的層數達到了 128 層。
資料圖（來自：Micron）
此外，作為美光長期技術演進計劃的核心，該公司將用替換門（RG）技術來取代與英特爾合作時期使用了多年的傳統浮柵技術。
美光擁有 RG 技術的完整設計，且希望本次技術轉型能夠減小管芯尺寸、降低成本、提高性能，以及更輕鬆地過渡到更多層的下一代節點。
儘管量產工作宜早不宜遲，但美光向也投資者指出，該公司不會在今年內全面轉向基於 RG 架構的 3D NAND 技術，畢竟早期良率還有繼續提升的空間。
美光稱，其計劃在 2020 Q4 財季（今夏）開始出貨 128 層 RG 架構的 3D NAND 閃存產品。
首席執行官 Sanjay Mehrotra 補充道：“我們在向 RG 技術過渡方面取得了重大進展，預計到 2020 年末，它將成為公司 NAND 總供應量的重要組成部分”。
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