EMI即电磁干扰。电磁干扰分为传导电磁干扰（Conducted EMI）和辐射电磁干扰（Radiated EMI）。其中，传导电磁干扰噪声在火线、中线与地线间传播，包括火线与地线、中线与地线间的共模噪声（Common-mode Noise），以及火线与中线间的差模噪声（Differential-mode Noise）。辐射电磁干扰噪声以辐射电磁场的形式在空间传播，包括由于非良好接地或接地反射电位不为零引起的共模噪声，以及由于没有很好控制的大信号环路引起的差模噪声。电子工程师在设计电源产品时，EMI整改往往是一个令人头疼得地方，因为引起电磁干扰原因是多方面的，元器件差异性、布板走线方式等都会造成电磁超标，所以有同行称EMI整改为玄学调试。但EMI整改并非无规律可循，笔者也总结了一点经验，分享予同行参考。
一. 1MHZ以内，以差模干扰为主
1. 增大X电容量
2. 添加差模电感
3. 小功率电源可采用PI型滤波器处理(建议靠近变压器的电容选用较大些)
二. 1MHZ～5MHZ差模共模混合，采用输入端并联一系列X电容来滤除差模干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决
1. 对于差模干扰超标可调整X电容量，添加差模电感器，调整差模电感量
2. 对于共模干扰超标可添加共模电感，选用合理的电感量来抑制
3. 也可以改变整流二极管特性来处理，一对快速二极管如FR107，一对普通整流二极管如1N4007
三. 5MHZ以上以共模干扰为主，采用抑制共模的方法
1. 对于外壳接地的，在地线上用一个磁环绕2～3圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减作用
2. 紧贴变压器的铁心粘铜箔，铜箔闭环
3. 处理后端输出整流二极管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小
四. 20～30MHZ
1. 对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变Y2电容位置
2. 调整一二次侧间的Y1电容量位置及参数值
3. 在变压器外面包铜箔，变压器最里层加屏蔽层，调整变压器的各绕组的排布
4. 改变PCB LAYOUT
5. 输出线前面接一个双线并绕的小共模电感
6. 在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数
7. 在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE
8. 在变压器的输入电压脚加一个小电容
9. 可以增大MOSFET驱动电阻
五. 30～50MHZ普遍是MOS管高速开关引起
1. 可以增大MOSFET驱动电阻
2. RCD缓冲电路采用1N4007慢管
3. VCC供电电压用1N4007慢管来解决
4. 输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感
5. 在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路
6. 在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE
7. 在变压器的输入电压脚加一个小电容
8. PCB在LAYOUT时大电解电容，变压器，MOSFET构成的电路环尽可能的小
9. 变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小
六. 50～100MHZ普遍是输出整流管反向恢复电流引起
1. 可以在整流管上串磁珠
2. 调整输出整流管的吸收电路参数
3. 可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗，如PIN脚处加BEAD CORE或串接适当的电阻
4. 也可以改变MOSFET，输出整流二极管的本体向空间的辐射(如铁夹卡MOSFET；铁夹卡DIODE；改变散热器的接地点)
5. 增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射
七．200MHZ以上，开关电源基本辐射量已很小，一般可过EMI标准
八. 补充说明
1. 开关电源高频变压器初次级间一般加屏蔽层
2. 开关电源是高频产品，PCB的元器件布局对EMI有很大影响
3. 开关电源若有机械外壳，外壳的结构对辐射有很大影响
4. 主开关管，主二极管不同的生产厂家参数有一定的差异，对EMC有一定的影响
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