創見發佈新款“USD230I”存儲卡 引入SLC緩存加速技術

創見近日發佈新款“USD230I”存儲卡,並引入SLC緩存加速技術,這款產品設置了一個對主控透明的內部邏輯單元,可以將一小部分3D TLC閃存模擬成SLC,從而提升短時間內的寫入性能,尤其適合高速連拍、高清視頻錄製等。得益於SLC緩存加速技術技術,創見標稱這款存儲卡的持續傳輸率最高可達100MB/s,隨機訪問性能則可達3400 IOPS。

创见发布新款“USD230I”存储卡 引入SLC缓存加速技术
创见发布新款“USD230I”存储卡 引入SLC缓存加速技术

它還支持從-40℃到85℃的工業級溫度範圍。容量方面提供8GB、16GB、32GB、64GB四種規格,而寫入壽命分別高達36TB、70TB、70TB、140TB。以其中的8GB容量為例,如果每天寫滿一次,可以連續用上12.6年之久。


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