三星首次將極紫外(EUV)技術應用於其動態隨機存取存儲器(DRAM)模塊的生產中，並已以DDR4的形式發運了100萬個模塊。展望未來，三星預計這將導致更先進的EUV進程節點，包括將用於明年即將推出的DDR5內存芯片。
迄今為止，還沒有其他內存製造商在DRAM生產中採用EUV，因此在這方面，三星為自己贏得了一點吹噓的資本。對客戶來說更重要的是，這可能會由於更好的收益率和更快的性能而導致更低的價格。然而，到什麼程度還有待觀察，但我們很快就會發現。
EUV光刻技術已經應用於尖端的處理器製造中。例如，臺積電去年10月宣佈，它已經開始大規模生產基於其7納米+ EUV光刻技術的芯片，這可能會支持AMD即將推出的Zen 3處理器。同樣，英特爾計劃明年推出7納米EUV硅。
顧名思義，EUV利用波長較短的紫外線將圖案刻入硅中。與傳統的多製版方法相比，該方法具有精度高、減少重複步驟、提高製版精度等優點。這是最終導致更好的性能和更少的缺陷芯片的產量。反過來，它降低了芯片製造商的成本，並縮短了開發時間。
三星預計，未來的DRAM產品將完全由EUV製造，其中包括將於2021年推出的DDR5。
三星表示:“隨著DDR5/LPDDR5市場明年的擴張，該公司將進一步加強與領先的IT客戶和半導體供應商在優化標準規格方面的合作，加快在整個內存市場向DDR5/LPDDR5的過渡。”
三星還指出，它將在韓國平澤開設第二條生產線，因為它預計下一代DRAM產品的“需求將不斷增長”。
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