在EUV光刻機方面，荷蘭ASML（阿斯麥）公司壟斷了目前的EUV光刻機，根據ASML之前的報告，去年他們出貨了26臺EUV光刻機，預計2020年交付35臺EUV光刻機，2021年則會達到45臺到50臺的交付量，是2019年的兩倍左右。
目前ASML出貨的光刻機主要是NXE:3400B及改進型的NXE:3400C，兩者基本結構相同，但NXE:3400C採用模塊化設計，維護更加便捷，平均維修時間將從48小時縮短到8-10小時，支持7nm、5nm。
此外， NXE:3400C的產能也從之前的125WPH（每小時處理晶圓數）提升到了175WPH。
不論NXE:3400B還是NXE:3400C，目前的EUV光刻機還是第一代，主要特點是物鏡系統的NA（數值孔徑）為0.33。
ASML最近披露他們還在研發新一代EUV光刻機EXE:5000系列，NA指標達到了0.55，主要合作伙伴是卡爾蔡司、IMEC比利時微電子中心。
與之前的光刻機相比，新一代光刻機意味著分辨率提升了70%左右，可以進一步提升光刻機的精度，畢竟ASML之前的目標是瞄準了2nm甚至極限的1nm工藝的。
不過新一代EUV光刻機還有點早，至少到2022年才能出貨，大規模出貨要到2024年甚至2025年，屆時臺積電、三星等公司確實要考慮3nm以下的製程工藝了。
那麼我國的光刻機發展到了什麼程度呢？2018年，中國科學院光電技術研究所所承擔的國家重大科研裝備研製項目“超分辨光刻裝備研製”通過驗收，實現了22nm的分辨率；2019年，武漢光電國家技術研究中心成功刻出9nm線寬的線段。但還些還沒有達到真正意義上的量產。而我們國家目前能量產的最先進光刻機是90nm工藝，由上海微電子（簡稱SMEE）生產。同樣由上海微電子研製的65nm光刻機，目前正在進行整機考核。
因此，我國芯片產業發展仍任重道遠。
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