站長之家(ChinaZ.com) 3月11日 消息:根據今天發表的一項新研究，儘管製造商在過去 6 年裡採取了廣泛的緩解措施，但現代RAM卡仍然容易受到Rowhammer攻擊。
這些緩解措施統稱為目標行刷新(Target Row Refresh， TRR)，這是是軟件和硬件修復的組合。 2014 年Rowhammer攻擊被披露之後，這些修復措施緩慢地添加到現代RAM卡的設計中。
在現代的RAM卡上，每次您的計算機處理內存中的數據時，實際的數據都保存在內存單元中，並且每個內存單元都被安排在卡的塑料底座上的表格狀網格模式中。
雖然這種精心安排的設計幫助工程師們在RAM卡上塞入儘可能多的記憶單元，但它也使記憶單元之間的電干擾成為可能。這就是Rowhammer攻擊的精髓所在。
自 2014 年以來，硬件行業一直試圖解決Rowhammer難題，但每一步都被學術界證明是不可行的。每次供應商推出改進，研究人員要麼找到一個旁路，要麼找到一個新的、更快速的方法來發動Rowhammer攻擊。（zdnet）
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