光明向前
IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。
同一個IGBT，在不同的驅動板上的作用就是把控制器輸出的電平信號，變換成能夠可靠驅動IGBT的信號，中間還會有一些隔離、保護的作用。
在不同的外圍電路上，實現不同的功能定義，性能要求，肯定存在不一樣的效果。
比如：
從發電端來看，風力發電、光伏發電中的整流器和逆變器都需要使用IGBT模塊。
從輸電端來看，特高壓直流輸電中FACTS柔性輸電技術需要大量使用IGBT等功率器件。
從變電端來看，IGBT是電力電子變壓器（PET）的關鍵器件。
從用電端來看，家用白電、 微波爐、 LED照明驅動等都對IGBT有大量的需求。
這四種典型的應用，都是存在使同同一個IGBT的，但是因為外圍電路的差異性。
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