今天和大家聊聊計算機存儲設備，隨著5G、AI等行業如雨後春筍般，爭先發展，必將引領數據爆發，存儲設備需求，愈加迫切，因此，存儲設備廠商把握商機，爭先恐後大規模投入研發，佔據市場高點，就拿最近的LPDDR5和UFS3.1，變成了目前旗艦手機的標配，三星，小米等就已經推出相應產品。再比如：KIOXIA和WD聯合開發QLC，稱存儲密度提高33%，延遲降低，順序讀寫翻番，不幸的是樣品縮水，原本說128層，目前只有112層，順序讀寫僅提升50%。另一家廠商就比較幸運了，它就是SK海力士，今天就和大家聊聊海力士於去年推出的TLC 128層。
可以毫不客氣的說，SK海力士在該領域處於領先地位，推出了世界上首款128層4D NAND閃存，該128層NAND閃存即將應用於下一代容量超過1Terabyte(TB，太字節)的存儲設備，包括通用閃存(Universal Flash Storage, UFS)和固態硬盤(Solid State Drive, SSD)。
2019年6月，SK海力士成功研發並量產全球首款128層的1Tb(Terabit,兆兆位) 三層單元（Triple Level Cell, TLC） 4D NAND閃存。
和其他廠家不同的是，這款128層NAND閃存是業界主流的三層單元（TLC）閃存芯片，當其他公司正通過構建96層四層單元（Quadruple Level Cell, QLC）實現1Tb NAND閃存產品的開發，SK海力士已經率先通過TLC實現超大容量NAND閃存的商業化，並取得了比QLC更好的性能和更快的處理速度。
SK海力士利用基於電荷捕獲型（Charge Trap Flash, CTF）的4D NAND閃存*平臺。實現了業內最高的閃存垂直堆疊密度，單顆芯片集成超過3,600億個NAND單元，每個單元可存儲3比特(bit)。與現有的96層4D NAND芯片相比，相同面積的存儲容量提高了30%，數據讀寫耗時降低了16%。此外，每顆晶圓可生產的比特容量也增加了40%，與以往技術轉移相比，96層NAND向128層NAND過渡的投資成本降低了60%。另外，SK海力士計劃採用相同平臺進一步研發176層4D NAND
講到這裡，不知道大家是傾向於用128層或者112層的QLC呢？還是更加偏向於128層的4D NAND 128層TLC呢？歡迎大家留言討論~
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