今天和大家聊聊计算机存储设备，随着5G、AI等行业如雨后春笋般，争先发展，必将引领数据爆发，存储设备需求，愈加迫切，因此，存储设备厂商把握商机，争先恐后大规模投入研发，占据市场高点，就拿最近的LPDDR5和UFS3.1，变成了目前旗舰手机的标配，三星，小米等就已经推出相应产品。再比如：KIOXIA和WD联合开发QLC，称存储密度提高33%，延迟降低，顺序读写翻番，不幸的是样品缩水，原本说128层，目前只有112层，顺序读写仅提升50%。另一家厂商就比较幸运了，它就是SK海力士，今天就和大家聊聊海力士于去年推出的TLC 128层。
可以毫不客气的说，SK海力士在该领域处于领先地位，推出了世界上首款128层4D NAND闪存，该128层NAND闪存即将应用于下一代容量超过1Terabyte(TB，太字节)的存储设备，包括通用闪存(Universal Flash Storage, UFS)和固态硬盘(Solid State Drive, SSD)。
2019年6月，SK海力士成功研发并量产全球首款128层的1Tb(Terabit,兆兆位) 三层单元（Triple Level Cell, TLC） 4D NAND闪存。
和其他厂家不同的是，这款128层NAND闪存是业界主流的三层单元（TLC）闪存芯片，当其他公司正通过构建96层四层单元（Quadruple Level Cell, QLC）实现1Tb NAND闪存产品的开发，SK海力士已经率先通过TLC实现超大容量NAND闪存的商业化，并取得了比QLC更好的性能和更快的处理速度。
SK海力士利用基于电荷捕获型（Charge Trap Flash, CTF）的4D NAND闪存*平台。实现了业内最高的闪存垂直堆叠密度，单颗芯片集成超过3,600亿个NAND单元，每个单元可存储3比特(bit)。与现有的96层4D NAND芯片相比，相同面积的存储容量提高了30%，数据读写耗时降低了16%。此外，每颗晶圆可生产的比特容量也增加了40%，与以往技术转移相比，96层NAND向128层NAND过渡的投资成本降低了60%。另外，SK海力士计划采用相同平台进一步研发176层4D NAND
讲到这里，不知道大家是倾向于用128层或者112层的QLC呢？还是更加偏向于128层的4D NAND 128层TLC呢？欢迎大家留言讨论~
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