03.04 《CEVE說“新”》之先進能量轉換控制模塊

技術創新,始終是推動新能源汽車發展的核心引擎。當前,以整車技術為依託、三電核心技術為牽引的新能源汽車核心技術體系,正全面朝著智能化、網聯化邁進,緊密圍繞安全、續航、充電、動力、體驗等消費核心需求,正推動新能源汽車快速向前,既解決產品當前存在的問題,也引領產品的前瞻性發展,助推汽車工業的轉型與汽車社會的變革。

一、先進能量轉換控制模塊

新能源汽車控制器的核心是功率半導體,目前車用高壓大功率條件下則主要採用基於Si基的IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極晶體管)模塊。IGBT模塊是由IGBT與FWD(續流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品,是能源變換與傳輸的核心器件,俗稱電力電子裝置的“CPU”,應用於直流電壓為600V及以上的變流系統如軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域。

《CEVE说“新”》之先进能量转换控制模块

在新能源汽車領域,車用IGBT控制著電能的通斷與轉換(交直流轉換、高低壓轉換等),電池、電機、DCDC、車載充電機等均需要它,它直接決定了新能源汽車的驅動性能、能耗、充電速率等關鍵指標。

IGBT芯片是絕對意義上的“卡脖子”技術,目前車規級IGBT由於非常高的技術壁壘,尚屬於藍海市場。先前國內市場主要依賴於進口,來自英飛凌、三菱電機等,幾乎沒有自主話語權。目前比亞迪打破了這一壟斷,已經成功掌握了IGBT核心技術,實現了自主研發和製造,併成功裝車。其產品在芯片功率損耗、散熱控制、導通壓降、電流輸出等關鍵指標上,均表現優異。

《CEVE说“新”》之先进能量转换控制模块

隨著技術的進步,車用電壓平臺不斷升高(戴姆勒、保時捷已經嘗試推出800V的車用高壓平臺),更加耐高壓和高功率的功率半導體成為新的需求。替換IGBT的下一代功率半導體是SiC MOSFET。SiC能將新能源汽車的效率再提高10%,但目前限制SiC應用的主要是兩方面,一是價格,其價格是傳統Si型IGBT的6倍;其次是電磁干擾。SiC的開關頻率遠高於傳統Si型IGBT,迴路寄生參數已經大到無法忽略。

目前,特斯拉Model 3是最早採用SiC的電動汽車,正在快速刺激SiC基功率器件的應用,國內以比亞迪為代表的企業也在積極推進SiC的開發,比亞迪預計在2023年採用SiC基半導體全面替代Si基半導體。未來,功率半導體技術的迭代創新,將推動新能源汽車性能、效率、能耗、成本等各項指標全面提升,同時基於功率半導體展開的技術創新將成為新能源汽車致勝的關鍵。

(本文摘自由中國汽研、汽車之家及CEVE規程聯合出版的《2019中國汽車技術發展與消費者洞察研究報告 新能源汽車篇》一書)

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