在 7 納米及 5 納米節點，臺積電豐收滿滿，競爭對手三星追趕始終無力挽回頹勢，三星決心將賭注押寶 3 納米節點，日前宣佈將採用 GAA 環繞柵極電晶體技術。臺積電也非省油的燈，日前的法說會，臺積電宣佈 2020 年資本支出約 150 億至 160 億美元，80% 將投入先進產能擴增，包括 7 納米、5 納米及 3 納米等製程。雖然臺積電沒有公佈 3 納米制程細節，總裁魏哲家卻宣佈，臺積電 4 月 29 日在北美技術論壇將公佈 3 納米制程狀況，臺積電與三星的 3 納米制程戰爭一觸即發。
臺積電總裁魏哲家
臺積電 3 納米制程最終選擇什麼技術，對半導體業來說非常重要。目前能深入 3 納米制程節點的晶圓生產廠商只有臺積電和三星。三星之前搶先宣佈 3 納米制程技術發展，將會放棄 FinFET 鰭式場效應電晶體技術，轉向 GAA 環繞柵極電晶體技術。
目前三星 3 納米制程分 3GAE、3GAP 兩代，後發的 3GA 要比 3GAE 性能更強。首發 3GAE 是第一代 GAA 技術，根據官方說法，因是全新 GAA 電晶體結構，三星使用納米設備製造出 MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋─通道場效應管），可顯著增加電晶體性能，以取代 FinFET 電晶體技術。此外，MBCFET 技術還能相容現有 FinFET 製程技術及設備，加速製程開發及生產。
2019 年於日本舉行的三星晶圓代工論壇（SFF），三星還公佈未來 3 納米制程的具體性能提升標準，也就是與 7 納米制程相比，3 納米制程可將核心面積減少 45%，功耗降低 50%，整體性能提升 35%。
三星日前宣佈，計劃在 2030 年前投資 1,160 億美元打造非記憶體的半導體王國，但在 7 納米及 5 納米等製程節點都落後臺積電，所以三星押寶 3 納米節點，希望超越臺積電成為全球第一大晶圓代工廠，三星對 3GAE 製程技術寄予厚望，預計最快 2021 年量產。
面對三星大舉投資的正面挑戰，臺積電也在 3 納米節點大舉投資，2019 年宣佈斥資 195 億美元興建 3 納米廠，預計 2020 年正式開工。但關於 3 納米制程技術的細節一直沒有透露，未來臺積電是否會像三星選擇 GAA 技術，或繼續改進 FinFET 技術生產，兩種技術路線將影響未來許多高端芯片設計與發展，所以臺積電 4 月 29 日的發表格外引人關注。
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