今年以來，疫情爆發，砷化鎵族群產能皆在中國臺灣，生產不受到影響，不過就需求面來說，臺廠原本受惠陸系品牌廠如華為去美化趨勢的轉單效益，目前因為疫情關係，陸系供應鏈返工率以及疫情控制備受考驗，可能影響5G基礎建設進度，以及中國手機需求，進而使需求有遞延可能。
砷化鎵應用領域廣泛
雖然，這些材料廠商們往往並不被大眾所熟知，卻不斷囊獲讓其他公司羨慕的高額利潤。為了遏制中國高科技產業的發展，材料領域是美國針對中國實行技術封鎖的關鍵領域之一，實行了非常嚴格的出口管制。而國內在芯片領域難以突破的關鍵掣肘之一就是核心材料。砷化鎵（GaAs）是一種很容易被人們提起的半導體材料，它與整個半導體產業密切關聯，而這也是我國產業結構中最為薄弱的環節。隨著5G的逐步到來，整個社會將進入萬物互聯的新階段，半導體相關芯片、器件需求量將進一步爆發，將成為像基礎能源一般的存在。
砷化鎵的化學式為GaAs，常溫下以黑灰色固體形式存在，它的熔點高達1238℃。在600℃以下時，GaAs能在空氣中穩定存在，並能不被非氧化性的酸侵蝕，屬於Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體。作為一種非常重要的半導體材料，GaAs屬閃鋅礦型晶格結構，晶格常數為5.65×10-10m，禁帶寬度1.4電子伏。
由於GaAs具有高頻、低雜訊與低耗電等優良特性，能夠應用在高頻IC與光電材料上，手機、WLAN、光纖通訊、衛星通訊與太陽能電池均是其適用的領域，其中手機與無線通訊應用是其中佔比較高的市場。由於GaAs的電子遷移率要比硅大5到6倍，這就使得其在製作微波器件和高速數字電路方面得到重用應用。用GaAs製成的半導體器件具有高頻、高溫和低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等諸多優點。目前，主流的工業化GaAs生長工藝主要有直拉法（Cz法）、水平布里其曼法（HB）、垂直布里其曼法（VB法）以及垂直梯度凝固法（VGF法）等等。這些工藝在實際操作中各有優劣。
代工廠踴躍進場
氮化鎵半導體器件主要可分為GaN-on-Si（硅基氮化鎵）、GaN-on-SiC（碳化硅基氮化鎵），GaN-on-sapphire（藍寶石基氮化鎵）等幾種種晶圓。其中，GaN-on- sapphire主要應用在LED市場，但也有一些廠商也在嘗試在半導體領域使用GaN-on- sapphire，例如PI，PI的氮化鎵技術源於其對LED的積累，所以，當半導體產業颳起氮化鎵熱潮時，PI選擇了用GaN-on- sapphire來打入市場，OPPO在其去年的氮化鎵充電器中選用了PI的方案。在GaN-on-Si、GaN-on-SiC之間，由於硅基氮化鎵性價比較高，也使得硅基氮化鎵成為了目前半導體市場主流，但也有些市場人士認為，GaN-on-SiC在未來還大有可為，所以各個代工廠也選擇了不同的路線。
從上文中，我們不難發現，很多氮化鎵廠商已經開始與臺積電進行了合作，而臺積電所進行的氮化鎵代工業務也多是目前主流的GaN-on-Si。而一直將臺積電視為其競爭對手的三星，近年來也在氮化鎵領域上進行了投資。
氮化鎵市場為代工廠帶來了新的發展機會，但是，在該領域中，這些代工廠還要面對一些新的挑戰者，即IDM企業的氮化鎵生產線。在上文中，我們曾提到過，一些公司還會選擇與擁有生產線的IDM企業進行合作。
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