解析3D IC的技術和發展

從SiP系統級封裝的傳統意義上來講,凡是有芯片堆疊的都可以稱之為3D,因為在Z軸上有了功能和信號的延伸,無論此堆疊是位於IC內部還是IC外部。但是目前,隨著技術的發展,3D IC卻有了其更新、更獨特的含義。

基於芯片堆疊式的3D技術

3D IC的初期型態,目前仍廣泛應用於SiP領域,是將功能相同的裸芯片從下至上堆在一起,形成3D堆疊,再由兩側的鍵合線連接,最後以系統級封裝(System-in-Package,SiP)的外觀呈現。堆疊的方式可為金字塔形、懸臂形、並排堆疊等多種方式,參看下圖。

解析3D IC的技術和發展

 另一種常見的方式是將一顆倒裝焊(flip-chip)裸芯片安裝在SiP基板上,另外一顆裸芯片以鍵合的方式安裝在其上方,如下圖所示,這種3D解決方案在手機中比較常用。

解析3D IC的技術和發展

基於無源TSV的3D技術

在SiP基板與裸芯片之間放置一箇中介層(interposer)硅基板,中介層具備硅通孔(TSV),通過TSV連結硅基板上方與下方表面的金屬層。有人將這種技術稱為2.5D,因為作為中介層的硅基板是無源被動元件,TSV硅通孔並沒有打在芯片本身上。如下圖所示:

解析3D IC的技術和發展

基於有源TSV的3D技術

在這種3D集成技術中,至少有一顆裸芯片與另一顆裸芯片疊放在一起,下方的那顆裸芯片是採用TSV技術,通過TSV讓上方的裸芯片與下方裸芯片、SiP基板通訊。如下圖所示:

解析3D IC的技術和發展

下圖顯示了無源TSV和有源TSV分別對應的2.5D和3D技術。

解析3D IC的技術和發展

以上的技術都是指在芯片工藝製作完成後,再進行堆疊形成3D,其實並不能稱為真正的3D IC 技術。

這些手段基本都是在封裝階段進行,我們可以稱之為3D集成、3D封裝或者3D SiP技術。

基於芯片製程的3D技術

解析3D IC的技術和發展

解析3D IC的技術和發展

解析3D IC的技術和發展

解析3D IC的技術和發展

目前,基於芯片製造的3D技術主要應用於3D NAND FLASH上。東芝和三星在 3D NAND 上的開拓性工作帶來了兩大主要的 3D NAND 技術。東芝開發了 Bit Cost Scalable(BiCS)的工藝。BiCS 工藝採用了一種先柵極方法(gate-first approach),這是通過交替沉積氧化物(SiO)層和多晶硅(pSi)層實現的。然後在這個層堆疊中形成一個通道孔,並填充氧化物-氮化物-氧化物(ONO)和 pSi。然後沉積光刻膠,通過一個連續的蝕刻流程,光刻膠修整並蝕刻出一個階梯,形成互連。最後再蝕刻出一個槽並填充氧化物。如下圖所示。

解析3D IC的技術和發展

三星則開發了 Terabit Cell Array Transistor (TCAT)工藝。TCAT 是一種後柵極方法( gate-last approach),其沉積的是交替的氧化物和氮化物層。然後形成一個穿過這些層的通道並填充 ONO 和 pSi。然後與 BiCS 工藝類似形成階梯。最後,蝕刻一個穿過這些層的槽並去除其中的氮化物,然後沉積氧化鋁(AlO)、氮化鈦(TiN)和鎢(W)又對其進行回蝕(etch back),最後用塢填充這個槽。如下圖所示。

解析3D IC的技術和發展

3D NAND目前已經能做到64層甚至更高,其產量正在超越 2D NAND,而且隨著層數的進一步擴展,3D NAND還能繼續將摩爾定律很好地延續。

目前應用在IC製造上的3D技術也僅限於NAND FLASH,隨著技術的發展,應該很快也會應用到其它的IC領域,那時候,真正的3D IC時代就到來了!


分享到:


相關文章: