申通521
目前美光已經正式量產LPDDR5內存，公開發布的新聞中並未提到使用了多少納米級的製造工藝，不過根據早前三星和美光的一些信息來看，應該是第三代10nm級工藝（這個數據並非你想象中的CPU製造工藝）。
LPDDR5可能使用12~14nm工藝
如題主問題所問，內存的製造工藝製程其實和CPU不同，內存通常稱多少級製程，比如三星10nm級。進入10nm級之後，業界將製程又分了節點，現階段為1x、1y、1z，1α 、1β，分別代表10nm第一代等級，第二代等級等，而1x這級相當於CPU製造工藝的16~19nm，1y為14~16nm，1z為12~14nm，至於1α 和1β目前並未有明確數據。
2019年時美光生產的LPDD4已經使用了1z的製程，那現在LPDDR5至少也應該是使用1z級的製程，如果研發進度快的話有可能提升至1α。而三星在2019年時表示1z級的製程可能會用到DDR和LPDDR5之上。
因此，美光和三星這兩家現在量產的LPDDR5最可能使用的就是1z級的製程，也就是相當於CPU中12~14nm的製造工藝。
HOVM沒實力沒資金來研發內存芯片
至於題主問題中提到了華為、OV系以及小米能否聯合研發LPDDR內存，能很明確的告訴你，不能！
原因也很簡單，內存存儲芯片這塊技術壁壘也很高，不是專業廠商很難搞定，這跟其他半導體技術差不多，需要技術的積累以及大量研發資金的投入。全球範圍內基本上已經被美光、三星等壟斷。
就當前來說，小米、OV這三家也就華為有較大的資金可以投入研發，剩餘兩家根本無從談起，而即便是聯合起來研發，短時間內也搞不定。
當然，最重要的還有一點，國內其實有專門的內存芯片研發廠商，手機廠商是沒必要進行重複勞動的。
國內有專業內存芯片研發廠商
內存芯片的重要性其實大家都清楚，因此這兩年國內有很大資金投入到這個領域中來。現在國內研發內存芯片的主要有三家：長江存儲、合肥長鑫、福建晉華，目前這3家的發展情況各不相同，其中長江主要聚焦於閃存芯片，長鑫和晉華目標是內存芯片。
福建晉華2019年時已經被美國封殺，當前有機會實現較大突破的是長鑫，2019年時已經實現了DDR4 8GB內存的量產（長鑫發展時間節點），10nm級（1x級）別製造工藝，和三星、美光這些頭部企業有三年左右的差距。
長鑫現在使用的技術源於對當年收購的內存廠商英飛凌，其後再在它的技術上進行了深入研發，現階段從專利角度出發長鑫等於擁有自主產權，可以說徹底打破了外企在內存這塊的技術壟斷。
Lscssh科技官觀點：
現在，我們想要國產內存芯片已經不是問題，已經取得階段性勝利，打破了外企的壟斷，未來我們想要更好的內存芯片就看長鑫的發展了，如何追趕上現有的落差。
Lscssh科技官
一、內存和CPU或者Soc 雖然都是芯片，但工藝又不一樣，不能純粹以多nm來看
我們知道內存也算是芯片顆粒，一樣也有工藝的，但內存和CPU或者手機Soc的原理不一樣的，所以不能等同的用多少nm來看。
以國內內存企業長鑫來說，目前在生產DDR4，也就是LPDDR4，但長鑫存儲的工藝是21nm，要到2021年才實現17nm工藝。
而大陸最強的代工企業中芯國際目前的能力是14nm，可見內存和CPU這種工藝是不能等同的，所以拿美光的內存來和臺積電的工藝來比，似乎也不合適。
另外還可以舉個例子，三星的手機芯片已經是7nm、8nm的水平，但三星的內存，其實最先進的也就是10nm。
二、美光的LPDDR5可能是10nm工藝
再加到美光的這款LPDDR5內存，究竟是採用什麼工藝的問題，其實還是10nm，並沒有進步到7nm等等。
而按照網上的資料，內存在10nm階段可能會停留很久，不會立即進入到7nm等，按照業界目前的做法，10nm的內存又分為1x、1y、1z，1α 、1β，分別代表10nm第一代等級，第二代等級等，而1x這級相當於CPU製造工藝的16~19nm，1y為14~16nm，1z為12~14nm，至於1α 和1β目前並未有明確數據。
所以說這個問題其實不能這樣等同來看，只能說美光的內存技術目前也是全球最頂尖的，就行了，並不是指10nm就落後了臺積電。
