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格羅方德（GlobalFoundries）與 SiFive 週二宣佈，兩家公司將共同開發基於 12LP / 12LP+ FinFET 工藝的 HBM2E 存儲器。
打包的這一 IP，使得 SoC 設計人員能夠將 HBM2E 快速集成到需要大量帶寬的芯片設計中。
具體說來是，兩家公司的 HBM2E 實施方案包括了格羅方德設計的 2.5D 封裝（中間層），以及 SiFive 開發的 HBM2E 接口層。
（via AnandTech）
除了 HBM2E 技術，SiFive 還允許被授權放使用該公司的 RISC-V 產品組合、以及格羅方德的 12 / 12LP+ DesignShare IP 生態系統，使得 SoC 開發人員能夠基於格羅方德先進的製造技術，來打造基於 RISC-V 的設備。
兩家公司指出，12LP+ 製造工藝和 HBM2E 的實施，將主要用於先進的人工智能訓練和推理應用，並希望供應商對 TOPS 性能進行優化。
此外，對於格羅方德而言，其需要特殊的工藝、且可能由於成本或其它原因，而無法為應對臺積電（TSMC）和三星（Samsung Foundry）的領先工藝做好準備。
至於 SiFive 的合作，本身也有點棘手，畢竟 RISC-V 本身不太可能用於深度學習加速器的核心邏輯。但至少，它是可用於控制其中數據流所需的嵌入式 CPU 內核的可靠架構。
據悉，SiFive 的 HBM2E接口、以及針對格羅方德 12LP / 12LP + 技術的定製 IP，正在紐約馬耳他的 GF 8 號工廠開發中。兩家公司預計，其能夠在 2020 上半年完成工作，屆時將開放 IP 的授權工作。
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