數據中心超預期，區塊鏈加碼，“芯”需求共振強勁（附股）

本週英特爾和海力士最新一季度財報均超預期，需求側增長是超預期的共同因素！

數據中心回暖明顯，引起需求共振，拉動英特爾的 CPU、海力士 的 DRAM，推動“芯”拐點來臨！移動端（預計明年高端手機 DRAM 平均 增長至 5GB，NAND 增長至 100GB 以上）持續擴容和滲透，是存儲拐點 的另一個關鍵催化，明年 5G 手機在單機容量和換機需求兩重維度下將帶 動半導體需求側的進一步超預期！

國盛證券認為需求端被貿易戰、宏觀經濟下行影響所推遲和壓抑之後，本輪 “芯”拐點重要特點將是需求的復甦比往往更加強勁，數據中心、移動端、 AIOT、汽車電子將持續會有新的爆點。

數據中心回暖是英特爾財報超預期的關鍵詞！英特爾在 2019 年 10 月 25 日發佈季度財報，提高了全年收入和利潤率指引。19Q3數據中心增長4%， 預期 19Q4 增長 6~8%，數據中心持續回暖成為英特爾財報超預期的關鍵 因素。

海力士財報關鍵詞是存儲拐點！ DRAM 價格單季度上漲，NAND 跌幅收 窄，下游庫存逐漸回到健康水位，需求顯著回暖及供給端的收縮，共同推 進存儲拐點。

存儲需求側方面，移動端存儲擴容（預計明年高端手機 DRAM 平均增長至 5GB，NAND 增長至 100GB 以上），數據中心採購回暖推動 DRAM 增加，PC 端 SSD 快速滲透，共同帶動存儲需求端的迅速增長。

存儲供給側方面，海力士繼續降低 DRAM 和 NAND 的資本開支，並將 M10 部分 DRAM 產能向 CIS 轉移。

智能手機消耗 35%的 DRAM Bit，消耗 40%的 NAND Bit。因此，移動端擴容的幅度和持續性是存儲需求增長的長期動力。2019 年將迎來智 能手機創新大年，5G 促進移動端存儲進一步提升，移動端需求將迎來出貨量和單機容量的雙重提升！預計明年高端手機 DRAM 平均增長至 5GB， NAND 增長至 100GB 以上！

區塊鏈分佈式記賬方式需要消耗較多資源，對於算力、存儲乃至電力等資 源要求較高，將帶動晶圓、存儲、GPU、mos 等綜合需求。

國盛證券建議重點關注：

【半導體】

存儲：兆易創新、北京君正；光學芯片：韋爾 股份；

射頻：三安光電、卓勝微；模擬：聖邦股份；

設計：紫光國微、匯 頂科技、博通集成、景嘉微、中穎電子；

IDM：聞泰科技、士蘭微、揚傑 科技；

設備：長川科技、北方華創、精測電子、至純科技、萬業企業；

材 料：興森科技、中環股份、石英股份；

封測：長電科技、華天科技、晶方 科技、通富微電；

【5G 之消費電子】

立訊精密、精研科技、領益智造、 歌爾股份、藍思科技、電連技術、蘇大維格、智動力、信維通信、碩貝德、 大族激光、共達電聲、瀛通通訊；

【5G 之光學】

韋爾股份、聯創電子、 蘇大維格、水晶光電、舜宇光學、立訊精密、歌爾股份、歐菲光、永新光 學；

【5G 之 PCB】

鵬鼎控股、生益科技、深南電路、滬電股份、東山 精密、景旺電子、弘信電子、奧士康、崇達技術；

【5G 之散熱】

精研科 技、領益智造、中石科技、碳元科技、飛榮達；

【安防】

海康威視、大 華股份。