半導體三極管的識別與檢測

一、半導體三極管的結構與類型

1．PNP型半導體三極管結構與符號

圖1

2．NPN型半導體三極管結構與符號

圖2

二、半導體三極管的工作條件

圖3

三、三極管的電流放大作用

1．半導體三極管三個電流之間的關係

圖4

2．半導體三極管基極電流的控制作用

通過實驗可以發現， 三極管中 ＩＢ 很小， 但只要 ＩＢ 有很小的變化， 就會引起 ＩＥ 和 ＩＣ 的大幅變化，這就是通常所說的三極管的放大作用。

因為三極管本身並不產生能量， 根據能量守恆定律， 能量不可能憑空產生， 所以三極管的放大實質可以理解為較小的基極電流對較大的集電極電流的控制作用。

四、三極管的特性曲線

圖5

1．半導體三極管輸入特性曲線

圖6

2．半導體三極管輸出特性曲線

圖7

五、三極管的主要參數

１. 三極管的電流放大倍數

(１) 共發射極交流電流放大倍數 β

共發射極交流電流放大倍數是指三極管有交流輸入信號時， 集電極電流的變化量 ΔＩＣ和基極電流的變化量 ΔＩＢ 的比值。

圖8

２. 三極管的極間反向電流

(１) 集電極 － 基極反向飽和電流 ＩＣＢＯ

集電極 － 基極反向飽和電流 ＩＣＢＯ是指發射極開路， 三極管 Ｃ、 Ｂ 之間加反向電壓時，測得的反向電流， 該值越小越好。 由於 ＩＣＢＯ由少數載流子產生， 所以受溫度的影響較大。

(２) 集電極 － 發射極反向飽和電流 ＩＣＥＯ

集電極 － 發射極反向飽和電流 ＩＣＥＯ又稱為穿透電流， 是指基極開路， 三極管 Ｃ、 Ｅ 之間加一定電壓時的電流，該值越小越好。 由於 ＩＣＥＯ也是由少數載流子產生，所以它也會受溫度的影響。

３. 三極管的極限參數

(１) 集電極最大允許電流 ＩＣＭ

集電極電流 ＩＣ過大時，三極管的 β 值要降低， 一般規定 β 值下降到額定值的 ２ / ３ 時的ＩＣ 值， 稱為集電極最大允許電流 ＩＣＭ 。

(２) 集電極 － 發射極反向擊穿電壓 Ｕ(ＢＲ)ＣＥＯ

集電極 － 發射極反向擊穿電壓 Ｕ(ＢＲ)ＣＥＯ是指當基極開路時， 加在集電極和發射極之間的最大允許電壓。

(３) 集電極最大允許耗散功率 ＰＣＭ

集電極電流 ＩＣ 流經集電結時將產生熱量， 使三極管溫度升高， 從而會引起其參數變化， 三極管因受熱而引起的參數變化不超過允許值時的最大集電極耗散功率， 稱為集電極最大允許耗散功率 ＰＣＭ 。

ＰＣＭ是三極管在一定的散熱條件下測得的， 所以三極管在使用時要加裝合適的散熱。