海思麒麟600系列一直是手机中端SOC的有力竞争者，麒麟650系列在16年初推出后，至今仍旧应用在华为荣耀的千元机上，和高通625一样，堪称中端元老级的两个SOC。
17年下半年，高通625的继任者高通630推出，然而这款SOC的市场却表现平平。就在不久前，红米note5在印度发布，其搭载的高通636被寄予厚望，相比于630的有限升级，骁龙636在CPU上提升比较大，kryo260在单核性能大幅升级，对DDR4X的支持，继承骁龙660的DSP和ISP也让骁龙636的外围比骁龙625提升明显。 而麒麟650的继任者到现在都没有官方消息，但据可靠消息，麒麟650的下一代将于2018年Q2发布，具体命名不详。而且，下一代麒麟600系列将是有“大核心”的SOC。也就是说，“麒麟670”将不再是现在的8个“A53小核心”的架构，将直接和高通骁龙670，联发科P70，三星7885进行竞争。这三款SOC都是大小核心架构。据说，这次“麒麟670”将搭载海思自研架构的核心，代号MOSCOW，相比于之前的麒麟SOC直接采用公版架构，海思自研架构可能在某些设计上做了更改，至于能否在公版架构的基础上更上一层楼，现在还不得而知，麒麟600系列搭载自研架构，应该是在为麒麟980试水。
其他当面，“麒麟670”将和麒麟970一样，搭载专门为人工智能加速的NPU，由寒武纪科技提供的寒武纪1A核心，提供1.9T FLOPS的浮点算力，这是相比于其他中端SOC（如骁龙670）的优势所在，NPU在目前应用场景主要是拍摄场景识别，OCR加速，应用范围还比较窄，但对于一款中端SOC来说，1.9T FLOPS浮点算力的NPU将足于挑战目前竞争对手最顶尖的旗舰SOC（A11为0.6T FLOPS），最有可能应用方向就是改善目前中端机型在拍照当面的弱势。
至于“麒麟670”将采用何种制程工艺，有消息称将是TSMC（台积电）的12nm工艺，TSMC的12nm工艺——从Volta的晶体管密度来看，它跟目前的16nm FinFET Plus（FF+）工艺变化不大，TSMC之前也提到12nm工艺实际上是基于16nm改进而来的，后者目前有16nm FinFET、16nm FF+（FinFET Plus）及16nm FFC三个改良版，其中性能最高的依然是16nm FF+，上一代麒麟650采用的是16nmFET工艺，如果“麒麟670”采用12nm工艺，这将是一个不小的改进。
最终极的悬念是，哪款机型将首发“麒麟670”…
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