根據集邦諮詢 LED 研究中心（LEDinside）最新研究報告《2019 Micro LED次世代顯示關鍵技術報告》，由於Micro LED的特性優良，不論是在高亮度、高對比度、高反應性及省電方面，都優於LCD及OLED，未來將可應用於穿戴式的手錶、手機、車用顯示器、AR、VR、Monitor 、TV及大型顯示器應用。LEDinside分析，Micro LED技術雖面臨眾多的挑戰，對比兩年前，目前的技術進展已經進步許多，早期的專利技術已經有實體樣品展示機的出現，未來Micro LED商品化的時程將隨著Micro LED技術的成熟而進展，另外Micro LED製造流程繁瑣及要求更加精細，製程中所使用的原材料、製程耗材、生產設備、檢測儀器及輔助治具等，需求規格嚴謹且精密度相對嚴格。
Micro LED技術瓶頸分析 目前Micro LED 所面臨的技術瓶頸，共區分幾個面向，包括磊晶、晶片、巨量轉移、全綵化、接合、電源驅動、背板、檢測與維修技術，此份研究報告將針對Micro LED技術瓶頸做深入之探討及分析。 磊晶技術 ：目前Micro LED磊晶技術的挑戰，其一是希望提升波長一致性與厚度均勻性，使得波長更集中，大幅降低磊晶廠的後段檢測成本，其二，當LED Chip微縮至100微米以下時，LED Chip周圍因切割損傷造成不均勻的問題會造成漏電問題，並影響整體發光特性。 晶片技術 ：為了符合巨量轉移的製程，晶片需經過弱化結構的改變，以利自暫存基板上拾取晶片，並且增加絕緣層避免在轉移過程中晶片的受損，以保護及絕緣晶片。 巨量轉移技術 ：拾取放置技術可應用在大於10m以上之產品，但UPH、轉移設備的精準度及穩定度是一大隱憂，流體組裝技術可應用在大於20m以上之產品，雖然可以提升UPH但需要分別轉移三次才能完成全綵化目標，激光轉移技術可應用在大於1m以上之產品，但激光設備的價格昂貴，將會造成初期投資的負擔。 全綵化技術 ： RGB晶片的色轉換方案，目前在小於20m的技術上將面臨光效率、良率不足等問題，量子點的色轉換方案，進而補足在小尺寸色轉換不足的技術，但量子點也有部分塗佈均勻性與信賴性等問題產生，須待技術克服。 接合技術 ：由於Micro LED的晶片過於微小，錫膏金屬成份粒徑較大，容易造成Micro LED正負極性導通，形成微短路現象，因此黏著技術將會是Micro LED製程關鍵的挑戰，現狀Micro LED的Bonding技術有Metal Bump、Glue、Wafer Bonding及Micro Tube四大方向。 電源驅動技術 ：主動式驅動陣列中，每個像素連接到電路並單獨驅動，這樣將允許Micro LED以較低的電流工作，同時在整個點亮時間內持續維持亮度，不會有明顯的顯示亮度損失，但Micro LED驅動電流極小，使得電路設計複雜，驅動電源模組空間佈局將更為密集。 背板技術 ：背板形式共分為四種型態，玻璃、軟性基板、硅基板、PCB等。現階段以PCB背板應用最廣泛，主要是因為其尺寸相容性高，可利用拼接符合各種所需的尺寸，以及可依需求選擇符合的基材做相對應的背板。 檢測技術 ： Micro LED應用產品所使用的晶片數量甚多，並且Micro LED模組的光性及電性須正確且快速的判定之下，必須以巨量檢測的方式才能減少檢測時間及成本，要如何快速且準確的測試出良品是製程的一大問題，也是現階段Micro LED檢測技術瓶頸的主要原因之一 。 維修技術 ： Micro LED維修方案，現階段有紫外線照射維修技術、激光融斷維修技術 、選擇性拾取維修技術、選擇性激光維修技術及備援電路設計方案等。 2019年1月LEDinside針對於2019 Micro LED次世代顯示關鍵技術進行分析。如需詳細資料，歡迎來電或來信。謝謝您！ LEDinside 2019 Micro LED次世代顯示關鍵技術報告 出刊時間：2019年01月31日 檔案格式：PDF 報告語系：繁體中文 /英文 頁數： 213 季度更新：Micro / Mini LED市場觀點分析 - 廠商動態、新技術導入、Display Week / Touch Taiwan展場直擊（2019年3月、6月、9月；約計10-15頁/季） 第一章 Micro LED定義與市場規模分析 Micro LED產品定義 Micro LED產值分析與預測 Micro LED產量分析與預測 Micro LED市場產量分析 Micro LED Display滲透率預測 第二章 Micro LED應用產品與技術發展趨勢 Micro LED應用產品總覽 Micro LED產品應用規格總覽 Micro LED應用產品 - 頭戴式裝置規格發展趨勢 Micro LED應用產品 - 頭戴式裝置成本分析 Micro LED應用產品 - 頭戴式裝置出貨量與時程表預估 Micro LED應用產品 - 穿戴式裝置規格發展趨勢 Micro LED應用產品 - 穿戴式裝置成本分析 Micro LED應用產品 - 穿戴式裝置出貨量與時程表預估 Micro LED應用產品 - 手持式裝置規格發展趨勢 Micro LED應用產品 - 手持式裝置成本分析 Micro LED應用產品 - 手持式裝置出貨量與時程表預估 Micro LED應用產品 - IT裝置規格發展趨勢 Micro LED應用產品 - IT 顯示器裝置成本分析 Micro LED應用產品 - IT裝置出貨量與時程表預估 Micro LED應用產品 - 車用顯示器規格發展趨勢 Micro LED應用產品 - 車用顯示器裝置成本分析 Micro LED應用產品 - 車用顯示器出貨量與時程表預估 Micro LED應用產品 - 電視顯示器規格發展趨勢 Micro LED應用產品 - 電視顯示器裝置成本分析 Micro LED應用產品 - 電視出貨量與時程表預估 Micro LED應用產品 - LED顯示屏 規格發展趨勢 Micro LED應用產品 - LED顯示屏裝置成本分析 Micro LED應用產品 - LED顯示屏出貨量與時程表預估 第三章 Micro LED專利佈局分析 2000-2018 Micro LED專利佈局 - 歷年專利家族分析 2000-2018 Micro LED專利佈局 - 區域分析 2000-2018 Micro LED專利佈局 - 技術分析 2000-2018 Micro LED專利佈局 - 廠商分析 2001-2018 Micro LED專利佈局 - 歷年巨量轉移技術專利家族分析 巨量轉移技術 - 專利技術總覽 巨量轉移技術 - 專利技術分類 2001-2018 Micro LED專利佈局 - 巨量轉移技術專利家族分析 巨量轉移技術 - 品牌廠商技術佈局分析 巨量轉移技術 - 新創公司與研究機構技術佈局分析 第四章 Micro LED技術瓶頸與解決方案 Micro LED產業技術總覽分析 Micro LED技術瓶頸與解決方案總覽 - 製造流程 Micro LED技術瓶頸與解決方案總覽 - LED磊晶與芯片製程 Micro LED技術瓶頸與解決方案總覽 - 轉移技術/黏接技術/驅動與背板技術 第五章 磊晶技術瓶頸與挑戰分析 磊晶技術 - 解決方案 磊晶技術 - 磊晶架構與發光原理 磊晶技術 - 磊晶發光層材料與光效 磊晶技術 - 芯片微縮化的漏電問題造成光效降低 磊晶技術 - 設備技術分類 磊晶技術 - 設備技術比較 磊晶技術 - 外延片關鍵技術分類 磊晶技術 - 外延片關鍵技術分類 - 波長均一性 磊晶技術 - 外延片關鍵技術分類 - 磊晶缺陷控制 磊晶技術 - 外延片關鍵技術分類 - 磊晶外延片的利用率提升 磊晶技術 - 適用性分析 第六章 芯片製程技術瓶頸與挑戰分析 芯片製程技術 - LED芯片 微縮的發展 芯片製程技術 - LED芯片生產流程 芯片製程技術 - 水平，覆晶與垂直芯片結構性之差異 芯片製程技術 - 微型化LED芯片（含藍寶石基板）切割技術 芯片製程技術 - 微型化LED芯片（不含藍寶石基板）切割技術 芯片製程技術 - 激光剝離基板技術 芯片製程技術 - 弱化結構與絕緣層 芯片製程技術 - 弱化結構設計 芯片製程技術 - 巨量轉移頭設計 芯片製程技術 - 傳統LED與Micro LED芯片製程差異 第七章 巨量轉移技術瓶頸與挑戰分析 巨量轉移技術 - 轉移技術分類 巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術分類 巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 拾取放置技術流程 巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 非選擇性拾取技術 巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 選擇性拾取技術以提升晶圓利用率 巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 修補應用上的選擇性拾取技術 巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 影響產能的因素 巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 大型轉移頭尺寸提升產能的方案 巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 轉移頭精準度要求更高 巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 轉移次數和晶圓利用率比較 巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 轉移運轉週期與產能比較 巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術：Apple (LuxVue) 靜電吸附+相變化轉移方式 巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術：Samsung 芯片轉移與翻轉方式 巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 凡得瓦力轉印技術介紹 巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術介紹：X-Celeprint 凡得瓦力轉印方式 巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術介紹：ITRI 電磁力轉移方式 巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術介紹： Mikro Mesa 利用黏合力與反作用力轉移技術 巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術介紹：AUO 靜電吸附力與反作用力方式 巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術介紹：VueReal Solid Printing技術 巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術介紹：Rohinni 頂針對位轉移技術 巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 流體組裝技術流程 巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術介紹：eLux 流體裝配方式 巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術介紹：PlayNitride 流體分散轉印技術 巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 激光轉移技術流程 巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 激光轉移技術分類 巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術介紹：Sony 激光轉移技術 巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術介紹：QMAT BAR轉移方式 巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術介紹：Uniqarta 多光束轉移技術 巨量轉移技術-薄膜轉移技術介紹：OPTOVATE Laser Lift-off (-LLO)Technology 巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 滾軸轉寫技術流程 巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術介紹：KIMM 滾軸轉寫技術 巨量轉移技術 - Micro LED巨量轉移技術上面臨七大挑戰 巨量轉移技術 - 轉移製程良率取決於製程能力的控制 巨量轉移技術 - 適用性分析 第八章 檢測技術瓶頸與挑戰分析 Micro LED技術瓶頸與解決方案總覽 - 檢測技術流程 檢測技術 - 檢測方式 檢測技術 - 電特性檢測 檢測技術 - 電致發光(EL)原理 檢測技術 - 光特性檢測 檢測技術 - 光致發光(PL)原理 檢測技術 - 巨量檢測技術總覽 巨量檢測方式 - 光致發光檢測技術 巨量檢測方式 - 數碼相機光電檢測技術 巨量檢測方式 - 接觸式光電檢測技術 巨量檢測方式 - 非接觸式光電檢測技術 巨量檢測方式 - 非接觸式EL檢測技術 巨量檢測方式 - 紫外線照射光電檢測技術 巨量檢測技術差異性比較 第九章 維修技術瓶頸與挑戰分析 Micro LED技術瓶頸與解決方案總覽 - 維修技術 Micro LED維修技術方案 維修技術方案 - 紫外線照射維修技術 Micro LED的壞點維修流程 維修技術方案 - 紫外線照射維修技術 壞點維修技術分析 維修技術方案 - 紫外線照射維修技術 轉移頭拾取之過程 維修技術方案 - 激光熔接維修技術 維修技術方案 - 選擇性拾取維修技術 維修技術方案 - 選擇性激光維修技術 維修技術方案 - 備援電路設計方案 Micro LED的主動缺陷偵測設計 第十章 全綵化技術瓶頸與挑戰分析 全綵化技術解決方案種類 全綵化技術解決方案 - RGB芯片色彩化技術 全綵化技術解決方案 - RGB在相同晶圓上的量子光子成像 (Qantum Photonic Imager ; QPI) 全綵化技術解決方案 - 量子點的色轉換技術 全綵化技術解決方案 - 量子點色轉換技術與應用 全綵化技術解決方案 - 量子井的色轉換技術 全綵化技術解決方案 - 總覽 全綵化技術解決方案 - 適用性分析 第十一章 接合技術瓶頸與挑戰分析 接合技術 - 技術分類 接合技術 - 表面黏著技術方案 接合技術 - 共晶波焊組裝技術方案 接合技術 - 異方性導電膠(ACF)方案 接合技術 - 異方性導電膠水(SAP)方案 接合技術 - 晶圓結合技術(Wafer Bonding)方案 接合技術 - 晶圓接合 (Wafer Bonding) 困難度分析 接合技術 - Micro TUBE方案 接合技術 - 技術困難度分析 接合技術 - 適用性分析 第十二章 驅動技術瓶頸與挑戰分析 驅動技術 - 驅動方案分類 驅動技術 - 驅動IC的重要性 驅動技術 - LED的伏安特性與光通量關係 驅動技術 - 開關電源控制技術分類 驅動技術 - 開關電源控制PWM與Duty Cycle的關係 驅動技術 - 顯示屏驅動方案 - 主動式驅動與被動式驅動比較 驅動技術 - 顯示屏驅動方案 - 掃描方式與畫面更新率 驅動技術 - 顯示屏驅動方案 - 小間距顯示屏問題點分析 驅動技術 - TFT薄膜電晶體 - 液晶顯示器之驅動架構 驅動技術 - TFT薄膜電晶體 - 主動式驅動 V.S 被動式驅動 驅動技術 - TFT薄膜電晶體 - 影響顯示品質之干擾因素分析 驅動技術 - OLED驅動方案 - OLED的光電特性 驅動技術 - OLED驅動方案 - 被動式驅動 驅動技術 - OLED驅動方案 - 主動式驅動 驅動技術 - Micro LED驅動方案 - 被動式驅動 驅動技術 - Micro LED驅動方案 - 主動式驅動 OLED顯示器 vs Micro LED顯示器電源驅動模組差異性 第十三章 驅動技術瓶頸與挑戰分析 背板技術 - 顯示器背板的架構 背板技術 - 背板材料的分類 背板技術 - 整合式背板 - 玻璃基板與畫素開關元件運作原理 背板技術 - 整合式背板 - 玻璃基板與畫素開關元件特性 背板技術 - 整合式背板 - 玻璃基板的尺寸發展 背板技術 - 整合式背板 - 玻璃基板脹縮挑戰 背板技術 - 整合式背板-玻璃基板搭配開關元件應用現況 背板技術 - 整合式背板 - 玻璃基板畫素開關元件架構 背板技術 - 整合式背板 - 玻璃基板a-Si畫素開關元件製程 背板技術 - 整合式背板 - 玻璃基板IGZO畫素開關元件製程 背板技術 - 整合式背板 - 玻璃基板LTPS畫素開關元件製程 背板技術 - 整合式背板 - 玻璃基板畫素開關元件解析度差異 背板技術 - 整合式背板 - 玻璃基板畫素開關元件功耗差異 背板技術 - 整合式背板 - 玻璃基板畫素開關元件漏電性差異 背板技術 - 整合式背板 - 可撓式基板基板與畫素開關元件特性 背板技術 - 整合式背板 - 可撓式基板製作流程 背板技術 - 整合式背板 - 可撓式基板材料特性 背板技術 - 整合式背板 - Silicon背板架構 背板技術 - 整合式背板 - Silicon背板製作流程 背板技術 - 整合式背板 - Silicon背板材料特性 背板技術 - 非整合式背板 - 印刷電路板外觀架構 背板技術 - 非整合式背板 - 印刷電路板結構 背板技術 - 非整合式背板 - 印刷電路板基材熱效應 背板技術 - 非整合式背板 - 印刷電路板基材差異性比較 背板技術 - 非整合式背板 - 印刷電路板製作挑戰 背板技術 - 非整合式背板 - 印刷電路板尺寸限制 背板技術差異性比較 背板技術 - 適用性分析 第十四章 Micro LED供應鏈與廠商佈局分析 全球Micro LED主要廠商供應鏈分析 區域廠商產品策略與開發動態分析 - 中國臺灣廠商 區域廠商產品策略與開發動態分析 - 中國大陸廠商 區域廠商產品策略與開發動態分析 - 韓國廠商 區域廠商產品策略與開發動態分析 - 日本廠商 區域廠商產品策略與開發動態分析 - 歐美廠商 聯繫我們： Taipei: ShenZhen: Eric Chang [email protected] +886-2-8978-6488 ext. 822 Grace Li [email protected] +886-2-8978-6488 ext. 916 Paula Peng [email protected] +886-2-8978-6488 ext. 820 Perry Wang [email protected] +86-755-8283-8931
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