11月8日，發佈公告稱擬投資VCSEL、高端芯片等半導體研發生產項目，投資規模約16億元。昨（13）日晚間，乾照光電再發公告，就本次投資項目簽署《投資協議》。
據公告顯示，為充分發揮公司已有的技術優勢、設備優勢、工藝優勢，提升產品結構，加快實現科技成果的轉化，公司擬出資159,670.49萬元建設VCSEL、高端LED芯片等半導體研發生產項目，該項目由公司全資子公司廈門乾照半導體科技有限公司（以下簡稱“乾照半導體”）負責承辦。同時，為促進項目有效落地，經友好協商，公司、乾照半導體與廈門火炬高技術產業開發區管理委員會（以下簡稱“廈門火炬高新區”）擬簽署《投資協議》。
另外，根據工程情況，預計建設期1.9年，建設投資在建設期內分批投入，其中第1年預計投入22,991.38萬元，第2年預計投入96,630.63萬元。第2年投產，產能達設計生產能力的10%。同時根據生產情況投入所需流動資金。
乾照光電錶示，此次投資協議的簽署，將獲得廈門火炬高新區給予的優惠政策等相應支持，為後續業務順利開展奠定基礎，有利於加快VCSEL、高端LED芯片等半導體研發生產項目落地，充分發揮公司已有的技術優勢、設備優勢、工藝優勢，提升產品結構，加快實現科技成果的轉化，進一步優化產業結構，增強公司的核心競爭力，符合公司的戰略發展規劃，對公司後續發展產生積極影響，符合公司和投資者利益。
此外，預計本次合作在本年度內不會對公司財務及經營情況產生重大影響，且預計本次合作短期內對公司的營業收入、淨利潤不會構成重大影響。
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