今天，由中国科学院光电技术研究所承担的国家重大科研装备——超分辨光刻装备项目在成都通过验收，项目组宣布，中国科学家已研制成功世界上首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备。
据介绍，中科院光电所超分辨光刻装备项目组经过近7年艰苦攻关，突破了多项关键技术，完成国际上首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备研制，其采用365纳米波长光源，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米。
科研人员展示加工的功能器件
长期以来，我国的光刻技术落后于先进国家，成为我国工业现代化进程的一块短板。2006年，科技部提出了光刻技术的中长期规划，希望中科院的国家重点实验室，能找到一条绕开国外技术壁垒，具有自主知识产权的光刻路径。中科院光电所绕开了传统的193纳米浸入式光刻技术的旧路线，采用了365纳米的长波长光源，从光源成本上和安全性方面上都会有很大的提升，据介绍，中科院的光刻设备成本仅为国外同类设备的1/3，而且是完全具有知识产权的原创性技术。
光刻机是制造电脑CPU的机器，处于半导体制造的金字塔顶尖，这也是中国和外国差距最大的地方，由于光刻机的制造需要巨量的资金和高度人才，同时需要多学科协同，从事光刻机研发的企业也越来越少，目前世界上先进光刻机基本被荷兰的ASML公司垄断，由于独家垄断，中国企业想要进口首先要经过重重审查，而且还要收到各种“产能限制”的打压，但从今以后，我们自己能造拉！
上亿美元一台的ASML光刻机，您还别嫌贵，要买排队
这次中科院光电所微细加工光学技术国家重点实验室研制出来的光刻机是世界上第一台单次成像达到22纳米的光刻机，目前Intel的CPU卡在14nm++++上，而AMD据说已经要出7nm技术，在手机SOC上，苹果和华为的最新SOC都是7nm芯片，高通的7nm芯片下个月即将首发，而三星新一代芯片采用自研的8nm技术，看上去国产光刻机单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米并不怎么起眼，但实际上却不然，因为无论是台积电还是三星的SOC制造，都是采用多次曝光的工艺，而如果国产光刻机结合现在193纳米技术路线上已经成熟的多重曝光技术，自然可以用于制备10纳米以下的信息器件。而在报道中，科员人员也证实了这点。
采用365纳米技术的国产光刻机
总之，国产光刻机的出现，会极大提升我国的芯片加工水平，有人估算，每年至少为我国节省3000亿美元外汇。
壮哉！国产光刻机！
壮哉！光电技术研究所！
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