美光科技公司和英特爾公司宣佈推出業界首款4bits / cell 3D NAND技術。利用久經考驗的64層結構，新的4位/單元NAND技術每個芯片的密度達到1太比特（Tb），這是世界上密度最高的閃存。這兩家公司還宣佈了第三代96層3D NAND結構的開發進展，層數增加了50％。結構的進步繼續使公司在產生世界上最高的Gb / mm2面密度方面處於領先地位。
NAND技術的進步--64層QLC和96層TLC技術 - 在陣列（CuA）技術下使用CMOS，與競爭方法相比，可減小裸片尺寸並提高性能。新的英特爾和美光NAND閃存可以並行寫入和讀取更多單元，從而在系統級提供更快的吞吐量和更高的帶寬。新的64層4位/單元NAND技術可在更小的空間內實現更密集的存儲，為讀取密集型雲工作負載節省大量成本。它也非常適合消費者和客戶端計算應用，提供成本優化的存儲解決方案。
“通過引入64層4位/單元NAND技術，與TLC相比，我們的陣列密度提高了33％，這使我們能夠在半導體歷史上生產出第一款市售的1T芯片，”美光公司執行副總裁，科技發展部Scott DeBoer。“我們通過96層結構繼續實現閃存技術創新，將更多數據凝聚到更小的空間中，釋放工作負載能力和應用構建的可能性。”
“1Tb 4位/單元的商業化是NVM歷史上的一個重要里程碑，並且通過大量的技術和設計創新使得我們的Floating Gate 3D NAND技術的性能得到進一步提升，”英特爾副總裁RV Giridhar表示，非易失性存儲器技術發展。“遷移到4bits / cell可為數據中心和客戶端存儲的密度和成本提供新的操作點。”
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