剛剛，傳來好消息稱：中國半導體企業清華紫光推出自主研發的內存芯片，將在美國硅谷首次公開。
而此舉，意義重大！因為，從2016年6月1日到2018年2月1日期間DRAM內存價格瘋漲，再到中興事件，無不給國人敲警鐘——即：一定要堅持發展半導體行業！！！
而如今，紫光推出自主研發的內存芯片，並且將在美國公開，這充分說明紫光對技術的自信，這給國產芯片後續的發展能提供不小的鼓勵！！！
那麼，此次紫光具體公佈了些什麼呢？
據韓媒報道，清華紫光的子公司長江存儲8月8日出席了《美國的快閃記憶體高峰會(Flash Memory Summit)》，公開32層、64層3D NAND。
具體：長江存儲此次公開的NAND當中，32層產品將於下半年進入試產階段。值得一提的是，長江存儲透露，此次新產品使用的是3D NAND架構創新技術Xtacking，有效提高了數據處理速度。按照計劃，長江存儲將先在位於武漢的工廠進行生產，後將在南京建廠，從明年開始提高產量。
但因為我們起步晚，相較於美國、韓國，還比較落後。目前三星和SK海力士生產的是96層、72層產品。半導體業界認為，企業技術水平上，韓國比中國領先3年。
不過，儘管有差距但目前普偏認為中國的NAND進入市場已成為不可阻擋的趨勢，市場調查機構預測認為，NAND價格到明年將持續下降。
此外，在接下來幾年中國也會更大力度的發展半導體行業！因為，政府已投入資金達1000億美元，目標是2025年內存半導體自給率提高至70%。而目前，中國在半導體方面主要先攻佔電腦等低價產品市場，日後將進入服務器等高價產品市場。
美韓已經居安思危了...
儘管目前美韓在半導體行業依然處於壟斷地位！但因為中國下定決心發展半導體，美韓開始居安思危了！
在7月29日，美國國防高級研究計劃局（DARPA）宣佈要砸15億美元，重振美國芯片產業，這也是該機構四十年來首次大規模介入芯片領域。這些資金研究項目涵蓋芯片架構、新材料和設計；此外，還有一部分是撥款給學術界和企業界的相關研究人員。
接著7月30日，韓國產業通商資源部長官白雲揆在視察韓國三星電子有限公司和 SK 海力士公司半導體生產線時也表示，將持續推動半導體芯片產業發展。韓國政府將在今後十年投入 1.5 萬億韓元（約合 91.6 億元人民幣），維持韓國在這一領域的有力競爭地位。
而值得一提的是，在美韓宣佈投錢半導體行業的時候，都提到了中國，都有點居安思危的意味！！！
而這也恰恰說明，他們看到中國是實實在在的發展半導體行業，他們也看到了中國一點點的取得進展。當然，我們依然要認清差距，要比他們付出更多。畢竟，不管什麼東西，自己家的，用著才舒心，放心！！！所以，加油吧！紫光...
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