致力於打造“中國芯”的長江存儲再傳好消息。8月7日，長江存儲公開發布Xtacking技術。該技術將為三維閃存提供更高的讀寫性能和更高的存儲密度，同時縮短產品研發週期。
傳統三維閃存架構中，外圍電路與存儲單元共享芯片面積。生產時，外圍電路和存儲單元需同時進行加工，二者容易互相掣肘，對工藝要求極高。Xtacking技術將外圍電路置於存儲單元之上，讓芯片加工從平面走向立體。即在一片晶圓上加工外圍電路，在另一片晶圓上加工存儲單元，兩片晶圓各自完工後再進行接合。由於芯片空間得以釋放，三維閃存的存儲密度有望實現大幅提升。
長江存儲首席執行官楊士寧介紹，目前世界上最快的三維閃存讀寫速度是1.4Gbps，採用Xtacking技術後這一數值有望提升到3.0Gbps，對閃存行業來講將是顛覆性的。他透露，Xtacking技術充分利用存儲單元和外圍電路的獨立加工優勢，實現了並行的、模塊化的產品設計及製造，產品開發時間可縮短3個月，生產週期可縮短20%，從而大幅縮短產品上市時間。
紫光集團聯席總裁刁石京透露，Xtacking技術在全球範圍內是首創的，對“中國芯”加速自主創新發展意義重大。
據介紹，長江存儲已成功將Xtacking技術應用於第二代三維閃存產品的研發中，預計2019年實現量產。
分享到:
閱讀更多 聊電子 的文章
