不知道還有沒有小夥伴們記得，前幾天我們聊過SK海力士推出的4D閃存，當時和大家說過，如果有機會就給大家介紹一下長江儲存，畢竟都是在Flash Memory Summit的Keynote上面做了報告，而且長江存儲還是壓軸的。
另外提一句，在上次SK海力士的新聞中，有位同學問我I/O接口速度是什麼，在這裡簡單的說一下，I/O就是input（輸入）/output（輸出），對閃存芯片來說I/O接口速度就是引腳帶寬。
下面回到正文，在Keynote上長江存儲稱，數據產生的能力和貯存能力的增長是嚴重不對等的，2020年左右將產生47ZB（1ZB=1024EB=1024^2PB），而到了2025年這個數字會更多，達到162ZB。雖然多數數據可能是垃圾，但存儲公司沒有選擇性，其唯一目標就是儘可能多地保存下來。
之後長江存儲總結了對於NAND閃存的三大挑戰，分別為：I/O接口速度、容量密度和上市時機，而就在這次的會議上，長江儲存提出了新的架構Xtacking，其首要目標便是三大挑戰中的第一條，I/O接口速度。
就目前來說，NAND閃存主要沿用兩種I/O接口標準，第一種是Intel、索尼、SK海力士、群聯、西數、美光主推的ONFi，I/O接口速度最大1.2Gbps。第二種是三星、東芝主推的Toggle DDR，I/O速度最高1.4Gbps。
而這次長江存儲推出的Xtacking，將I/O接口的速度提升到了3Gbps，速度與DRAM DDR4有來有回了。
據長江存儲CEO楊士寧博士介紹，Xtacking，是在一片晶圓上獨立加工負責數據I/O及記憶單元操作的外圍電路。在另一片晶圓上被獨立加工存儲單元。當兩片晶圓各自完工後，Xtacking技術只需一個處理步驟就可通過數百萬根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯通道)將二者鍵合接通電路，而且成本增加的並不多。
長江儲存稱，傳統3D NAND架構中，外圍電路約佔芯片面積的20~30%，降低了芯片的存儲密度。並且隨著3D NAND技術堆疊的層數越來越高，外圍電路可能會佔到芯片整體面積的50%以上。Xtacking技術將外圍電路置於存儲單元之上，從而實現比傳統3D NAND更高的存儲密度。
同時Xtacking這項技術的優點不僅僅只侷限在I/O速度上。官方稱使用Xtacking架構，產品的開發時間可縮短三個月，生產週期可縮短20%。截至目前長江儲存已成功將Xtacking技術應用於其第二代3D NAND產品的開發最高使用14nm工藝，並預計於2019年進入量產。
在推仔看來，長江儲存這次算是徹徹底底給國內玩家以及強心針，還記得前段時間我們的國產顆粒還在使用著32層堆疊之時，三星等企業不僅僅通過價格鬆綁，來限制國產顆粒的利潤，在另一邊繼續推出新技術，96堆疊也就是前段時候剛出來的，這次的Xtacking說明了我們還是在這個領域具備著十足的研發能力的，現在大家只要靜靜等待便好了。
順帶一提，這次長江存儲的Xtacking與SK海力士的報告中紛紛把目光著眼於外圍電路，這是不是也意味著，對於目前的顆粒來說，電路設計確實是一個瓶頸呢。
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