據韓國中央日報8月9日報道，中國在存儲芯片領域展開了空襲。在被視為半導體起源地的美國硅谷舉行的半導體大會上，中國長江存儲科技有限責任公司(YMTC)宣佈，將從明年開始向市場供應32層三維NAND閃存(以下簡稱NAND)，並公開了自主三維NAND量產技術。
中國長江存儲當地時間8月7日參加在美國聖克拉拉會議中心舉行的閃存峰會(Flash Memory Summit)，公開了32層三維NAND樣品。該公司表示，產品將從今年10月開始進行試投產，明年啟動大規模量產。在此之前，長江存儲曾在去年公開三維NAND技術，宣佈將在一年後的今年年末啟動量產。中國作為全球最大的存儲芯片市場，中國企業宣佈“自主生產”給全球存儲芯片市場帶來了巨大沖擊。但當時業界普遍認為中國不可能輕易成功實現量產。
報道稱，當時中國沒有任何生產存儲芯片的基礎，長江存儲又是一家2016年剛剛成立的新生企業。但現在看來，這家企業似乎要打破人們的預期，成立短短三年後就將向市場推出中國生產的存儲芯片。長江存儲是中國國營半導體公司清華紫光集團的子公司，得到了中國政府的補助和稅收減免等全面支持。
業界認為，長江存儲的技術已經發展到64層三維NAND閃存階段。據瞭解，該公司正在試產64層三維NAND閃存並向本國IT企業供貨。
具備記憶和儲存功能的NAND和DRAM是典型的存儲芯片，中國首先將目光盯向了存儲芯片領域行業壁壘相對較低的NAND市場。現在三星電子和SK海力士主要生產第四代64-72層三維NAND閃存，與長江存儲計劃明年投產的第二代三維NAND閃存的市場需求不同。在NAND閃存產品中，層數越多，所需要的技術力量越強。
韓國國內半導體行業認為，雖然韓國半導體不會立刻受到打擊，但到明年下半年市場也會受到影響。長江存儲從公開32層三維NAND閃存技術到產品投產只用了1年半的時間，按照這個速度下去，該公司今年年初試產的64層三維NAND完全有望在明年年末投產。
韓國業界認為，現在韓國在存儲芯片領域的技術領先中國三至四年。長江存儲計劃投產的32層三維NAND閃存是三星電子2014年8月推出的產品。另外，三星早在2016年12月就開始量產64層三維NAND閃存，現在三星電子已經具備96層三維NAND閃存技術，SK海力士也已經具備72層三維NAND技術。
長江存儲在本屆半導體大會上公開了自主研發的“Xtacking”三維NAND閃存量產技術。該公司首席執行官(CEO)楊士寧表示“大部分企業產品的數據傳輸速度都在1Gbps左右，行業最頂級的企業也只有1.4Gbps”，“但我們使用Xtacking技術，傳輸速度可以達到3Gbps”，主張本公司產品的數據傳輸速度可以比行業最頂級的三星電子快一倍。
報道稱，韓國專家們普遍認為這種技術很難真正實現。一般來說，生產NAND閃存需要1個晶元，但Xtacking技術需要兩個晶元。這就意味著，Xtacking工程比普通工程耗費的成本更高。極東大學半導體設備工程學教授崔才成(音)表示“這種工程需要加入將兩個芯片連接在一起的程序，不僅成本高，還會耗費更多的時間，很難實現批量生產”。
韓媒認為無論Xtacking技術具有多大可信度，中國在NAND閃存上的追趕速度都對韓國形成了威脅。韓國專家們一致認為，韓國若想擺脫中國的追擊保持世界第一的位置，就必須採取“超大差距”戰略。漢陽大學電子複合工程學樸在勤教授表示“在以人工智能(AI)、5G、雲技術等為代表的第四次工業革命時代，高性能和大容量存儲芯片的需求將大大增加”，“為了把擁有強大資源的中國甩在身後，我們必須佔領絕對技術高地，使其無從追趕”。
三星電子計劃在京畿道平澤市投資超過30萬億韓元建造新的半導體流水線。SK海力士也計劃投資15萬億韓元在京畿道利川市建造半導體工廠。
最近，三星電子存儲器項目閃存開發室長(副總裁)庚界賢(音)表示“我們將擴大V NAND流水線，加速推動新一代存儲芯片市場的變化”。
另外，它們還將強化與中小合作企業和學術界的合作。SK海力士實施了“技術創新企業”制度，通過成立專門工作團隊(TF)向被列為技術創新企業的中小企業提供研發、製造和採購等支持；三星也在8月8日表示，將把產學合作規模從現在的每年400億韓元擴大到一年1000億韓元的水平。
韓國各大企業都正費盡心思拉開在存儲芯片領域與中國的差距，同時，韓國政府也開始著手培育相對薄弱的非內存半導體。韓國產業通商資源部部長白雲揆7月30日表示“我們將在未來10年投資1.5萬億韓元支持(半導體產業)”。
為此，韓國在7月31日成立“System Semiconductor設計援助中心”，計劃對非內存半導體的技術開發、投資招商、市場營銷等從創業到成長的全部過程提供全面支持。
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