7月24日，美國軍方的國防高級研究計劃局（DARPA）宣佈了一項總額為7,500萬美元的新補助計劃，旨在通過對碳納米管等新設計和材料的基礎研究，重振芯片產業。在接下來的幾年裡，支持學術和行業科學家的DARPA計劃將在5年內每年增長到3億美元，總計15億美元。
硅電腦芯片已經推出了半個世紀，變得越來越強大。但創新的步伐正在放緩。7月24日，美國軍方的國防高級研究計劃局（DARPA）宣佈了一項總額為7,500萬美元的新補助計劃，旨在通過對碳納米管等新設計和材料的基礎研究，重振芯片產業。在接下來的幾年裡，支持學術和行業科學家的DARPA計劃將在5年內每年增長到3億美元，總計15億美元。
1965年，英特爾聯合創始人戈登·摩爾（Gordon Moore）發表的觀察結果成為他的同名“定律”：芯片上的晶體管數量每兩年增加一倍，時間範圍後來減少到每18個月一次。小型化芯片的進步越來越困難。
有專家指出，只有少數幾家公司能夠負擔得起數十億美元的製造工廠，這些工廠製造芯片，扼殺曾經由小型創業公司主導的領域的創新。一些大公司正在分工為特定任務設計專用芯片，這降低了他們為共享的競爭前基礎研究付費的動力。
DARPA正在努通過為研究人員提供補助力填補這一空白。一個研究團隊正在使用由碳納米管制成的晶體管制作3D芯片，這種晶體管比硅晶體管更快更有效地開關。今天有公司已經開始使用硅片製作3D芯片，以便將邏輯和存儲器功能緊密結合在一起，從而加快處理速度。但芯片由於在芯片層之間傳輸信息的龐大且稀疏的佈線而變慢。並且由於2D硅芯片層必須在超過1000°C的溫度下單獨製造，因此無法在集成製造計劃中構建3D芯片同時不熔化下層。
碳納米管晶體管幾乎可以在室溫下製造，為密集的集成3D芯片提供了更好的途徑。3D芯片將比最先進的硅設備大10倍，但它們的速度和能效預計將提高50倍。這對於耗電量大的數據中心來說是一個潛在的好處。
DARPA計劃還支持對靈活芯片架構的研究。
參考來源：美國國防高級研究計劃局（DARPA）
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