繼鎂光之後，三星最近宣佈已開始批量生產第五代96 層堆疊設計的 V-NAND 閃存芯片，單 Die 容量為 256Gb，在使用“Toggle DDR 4.0” 接口時， 三星全新256 Gb閃存輸數據的速度最高可達到 1.4 Gbps，相比 64 層 NAND Flash 增加了 40%，並可實現更低的功耗及大幅減少寫入延遲。
全新 V-NAND 閃存相比 64 層 NAND Flash 在性能上有所增強，主要是因為工作電壓已從 1.8V 降至 1.2V，同時新的 V-NAND 是迄今為止的數據寫入速度最快的閃存，達到 500 μs，比上一代寫入速度提高了約 30%，而對讀取信號的反應時間則顯著減少到50μs，新的工作電壓應有助於延長筆記本電腦的電池壽命，並降低桌面及數據中心繫統的整體功耗。
在三星的第五代 V-NAND 內部裝有超過 90 層的“3D電荷陷阱閃光燈（CTF）電池”，是業內最大的電池並堆疊在金字塔結構中，垂直鑽孔貫穿整個微觀通道孔。這些通道孔只有幾百納米 (nm) 寬，包含超過 850 億個 CTF 單元，每個單元可以儲存三位數據，這種先進的儲存器製造是包括先進電路設計和新工藝技術在內的多項突破的結果。
三星表示，率先會打造單 Die 256Gb 容量 ( 32GB ) 的 V-NAND，與目前大多數 Samsung 消費類 SSD 使用的相同尺寸，預計會在移動及 SSD 市場中得到廣泛應用，未來將會推出基於第五代 V-NAND 的 1Tb (128GB) 及 QLC 產品。
分享到:
閱讀更多 智慧新視界 的文章
