經過抗擊疫情磨礪的中國正在迎來複工復產的熱潮，經濟社會發展日益呈現出勃勃生機。近日召開的中央政治局常務委員會上提出，要進一步加快推進5G網絡、新能源汽車充電樁、大數據中心等七大“新型基礎設施建設”（簡稱“新基建”），不僅能減緩疫情對經濟的負面衝擊，更能推動改革創新，培育發展新動能，對我國經濟高質量發展具有巨大推動作用。
隨著“新基建”風口的到來，半導體產業將迎來新的發展機遇。一方面，5G龐大的基站網絡對於設備、電力等的配套需求，新能源汽車市場快速發展對於充電樁建設的需求等一系列產業鏈需求將會催生半導體產業的市場爆發。另一方面，“新基建”有望加速我國半導體產業國產替代進程。而在這其中，功率半導體器件可應用於新基建七大領域，它是我國汽車工業、高鐵、電網輸電等系統應用的上游核心零部件，戰略地位突出。
據中國充電聯盟數據顯示，截至2020年1月底全國已建成公共充電樁53.1萬臺，遠低於《電動汽車充電基礎設施發展指南(2015-2020)》規劃的1:1要求。據行業預測，未來10年將形成萬億規模的充電樁基礎設施建設市場。隨著國家層面戰略部署“新基建”，充電樁作為新能源汽車基礎設施將迎來發展“春天”。並且在電動化趨勢下，汽車半導體用量翻倍以上的增長，根據Strategic Analysis 數據，電動汽車所新增的半導體需求有較大比例在功率器件領域。
紫光國微旗下無錫紫光微電子專注於先進半導體功率器件和集成電路的設計研發、芯片加工、封裝測試及產品銷售，所開發和生產的高壓超MOSFET、IGBT、IGTO等先進半導體功率器件以及相關的電源管理集成電路產品廣泛應用於智能電網、混合動力/電動汽車、消費電子等領域。公司自2018年起就高度關注新能源汽車衍生市場，憑藉前瞻的市場佈局、出色的設計能力以及高效的執行力，近年來推出一系列對標國際一線廠商的MOSFET產品，其中以國內領先的高壓超結MOSFET尤為突出，它基於電荷平衡理論並採用先進的深槽刻蝕技術，可顯著降低器件的導通電阻和柵電荷，在充電樁、開關電源、充電器等市場應用中，可很好的兼容具有PFC、正激、反激等多種拓撲形式的電路結構，顯著減小系統的功率損耗並提高轉換效率，能夠高效解決行業目前面臨的充電難問題，為“新基建”發展注入源源不斷的新活力。
此外，作為新能源汽車電機驅動部分的核心元器件IGBT，也在紫光國微的產品研發佈局中。IGBT兼有MOSFET高輸入阻抗和雙極器件低導通壓降兩方面的優點，是目前電力電子和綠色能源的主力功率器件。公司的IGBT產品以實際應用為設計基礎，使用先進的NPT（非穿通型）和溝槽型FS（場終止型）IGBT 技術，能夠為大功率應用客戶提供優質可靠的系統解決方案，突破新能源汽車核心技術，大力推進新能源產業發展。
“新基建”作為助力傳統產業向網絡化、數字化、智能化方向發展的信息基礎設施，將會加速產業轉型升級，提高社會運行智能化水平，支撐我國數字經濟的騰飛。未來，紫光國微將繼續堅持科技創新、業務創新、服務創新和管理創新，用“芯”成就客戶價值，承載“新基建”發展之需，為國家新一輪科技基礎項目建設貢獻科技力量。
