中国首款128层3D NAND闪存芯片问世,谁也不能阻止中国的发展!


中国首款128层3D NAND闪存芯片问世,谁也不能阻止中国的发展!

4月13日上午传来一个振奋人心的消息,长江存储宣布,他们自主研发的128层QLC 3D NAND闪存X2-6070已成功开发,并已在诸如SSD的终端存储产品上得到验证,能满足多个控制器厂商需求。它是世界上第一个128层QLC 3D NAND闪存芯片,也是中国第一个128层3D NAND闪存芯片!

据了解,X2-6070在业界已知型号中是佼佼者了,其具有最高的单位面积存储密度,最高的I / O传输速度以及最高的单个NAND闪存芯片容量。还发布了128层512Gb TLC闪存芯片X2-9060,以满足不同应用环境的需求。

中国首款128层3D NAND闪存芯片问世,谁也不能阻止中国的发展!

长江存储负责人龚毅表示:“作为闪存行业的新手,长江存储在短短3年内实现了从32层到64层的跨越,跃升为128层。这既是所有工作人员共同努力的结果,也是全球产业链上下游合作的结果,随着Xtacking 2.0时代的来临,长江存储以不怕苦的精神和坚强不屈决心,势必开拓一条属于中国自己的的业务生态系统,让我们的合作伙伴能够充分发挥自身长处,实现共同发展。”

长江存储经过无数次的尝试和不断的优化,国产芯片的各个方面的性能和适应性都非常强,足以引以为豪了!

长江存储介绍,于2018年8月发布的128层各类芯片中,Xtacking框架已升级到了最新的2.0,进一步释放了产品的闪存空间。在I / O读写性能方面,在1.2V Vccq电压下均两款产品都可以可达到1.6Gbps的数据传输速率,这是业界执牛耳的速度了。此外,外围电路和存储单元是相对独立的,那么CMOS电路可以契合更高级的工艺,并且Xtacking 2.0还为3D NAND提供了更好的可扩展性,而不会增加芯片面积。

中国首款128层3D NAND闪存芯片问世,谁也不能阻止中国的发展!

龚毅强调:“我们认为长江存储自主研发的128层芯片将为中国乃至世界来更大的价值,市场前景一片大好。值得一提的是128层QLC版本将是第一个应用于消费类SSD的产品,并逐步进入企业级服务器、数据中心以及其他领域,以满足未来5G和AI时代的多样化数据存储需求。”

中国心,中国芯!!!


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