驅動中國2020年10月13日消息，近日，中芯國際第二代FinFET工藝曝光新進展。有報道稱，IP和定製芯片企業芯動科技已完成全球首個基於中芯國際FinFET N+1工藝的芯片流片和測試，所有IP全自主國產，功能一次測試通過，其與現有的14nm工藝相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%，這也意味著國產版的7nm芯片製造技術已經得到突破。
據中芯國際聯合CEO梁孟松透露，該工藝在功率和穩定性方面和7nm工藝非常相似，且不需要EUV光刻機，不過在性能方面提升還不夠，所以N+1工藝是面向低功耗應用領域的。據悉，FinFET N+1已進入客戶導入階段，可望於2020年底小批量試產。
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