中國對於芯片的需求非常高，2020年因為疫情的原因，中國進口產品出現了下降，但是1-5月，中國集成電路進口數量達到2011.5億個，同比增加27.3%，進口金額為8794.3億元人民幣，同比增長14.5%。
所以中國迫切想要實現高端芯片國內自研自產自造，打造完整的集成電路產業，中國目前將EUVL列為了集成電路製造領域的發展重點,提出要在2030年搞出頂級的EUV光刻機，很多人說，會不會太晚了呢？
其實並不會太晚，半導體芯片是基於量子力學對固體電子結構的分析才得以實現，是利用半導體晶體管實現一個比特的儲存和操作，其基本的結構如圖所示，源極和漏極都是半導體材料，其導電性通過柵極控制。改變柵極的電壓，可以改變柵極包覆的半導體材料的導電性，進而控制源極和漏極之間的通斷。而整個基底材料和柵極之間由絕緣層隔開，保證二者不會漏電導致晶體管邏輯錯誤。
但是當芯片製程越來越小，源極和柵極間的溝道也在不斷縮短,當縮短到一定程度的時候,就會產生量子隧穿效應，啥是電子隧穿效應呢？按道理來說，電子是從溝道通過，但是隨著通道越來越小，電子就會在電路里肆意的狂奔，亂飛。電路想啥時候通，就啥時候通。那麼晶體管就失去了本身開關的作用，所以邏輯電路也就不存在了。
尤其是5nm之後量子隧穿效應越來越嚴重。作為微觀世界的基本現象，經典電路無法克服這一點，即使改進工藝和材料，也只能暫時避免隧穿電流的影響。這也就是我們說的硅基芯片已經逼近極限。
正因為此，從5nm以下，製程工藝也就越來越艱難，像以前，14nm之後，第二年就是12nm，但是今年5nm之後，2022下半年3nm才量產，2023年估計才會正式商用。而到了2030年，臺積電都不知道能不能掌握1nm技術，這也意味著，2020年中國造出EUV光刻機，也僅僅只是3代的差距。
ASML公佈的新一代EUV光刻機的量產時間是2024年，不過最新報道稱下一代EUV光刻機是2025年量產，和ASML的EUV光刻機也就最多二代的差距。
其實中國之所以研發光刻機這麼難，不是因為光刻機本身的技術，早在2017年，長春光機所就成功研製了波像差優於0.75 nm RMS 的兩鏡EUV 光刻物鏡系統，構建了EUV 光刻曝光裝置，國內首次獲得EUV 投影光刻32 nm 線寬的光刻膠曝光圖形。建立了較為完善的曝光光學系統關鍵技術研發平臺。中國也是繼ASML之後，第二個掌握光刻機雙工作臺技術的國家。
中國之所以沒有辦法造成光刻機，是因為每一個零件都需要自造，國外嚴格限制了中國獲取光刻機零件，一個光刻機有10多萬個配件,可以裝40個標準集裝箱，作為擁有英特爾、三星電等股東的光刻機廠商，所以ASML可以輕鬆獲取到最頂級的零件，有德國的光學設備和超精密機械、美國的計量設備和光源設備等。
這些都需要中國自己去研製，這樣就拖慢了中國研發光刻機的腳步，中國目前也在研製碳基芯片，因為硅基芯片已經到了盡頭，而碳基芯片被認為是取代硅基芯片的方案之一，碳基芯片擁有硅基芯片的3倍性能。
這樣7nm的碳基芯片，就可以比肩2nm的硅基芯片，而中國目前的光刻機可以製造7nm芯片，既然不可能彎道超車，那麼中國就嘗試換道超車。
