Intel 14nm工艺已经连续用了三代，而自家10nm工艺因为良品率始终无法达到满意的程度一再推迟，现在看样子得等到2019年才能大规模使用，而且到底是2019上半年还是下半年，连Intel自己都不能确定。
相比之下，台积电、三星已经开始量产7nm，格罗方德（GF）的7nm也不远了。是Intel技术不行了？我们可不能小瞧了它。虽然这些制造工艺都叫xxnm，但是相比之下，Intel对于制造工艺的态度无疑是十分严谨的，它一直在追求最高的技术指标，也正因为如此，再加上半导体工艺进步的难度急剧增加，Intel 的10nm工艺才一直难产。
不过，目前Intel 10nm处理器已经在小批量出货，已知产品只有一款低压低功耗的Core i3-8121U，由联想IdeaPad 330笔记本首发。
TechInsight分析了这颗处理器，获得了一些惊人的发现，直接证实了Intel新工艺的先进性。
Core i3 8121U内核局部显微照片
分析发现，Intel 10nm工艺使用了第三代FinFET立体晶体管技术，晶体管密度达到了每平方毫米1.008亿个(符合官方宣称)，是目前14nm的足足2.7倍！
作为对比，三星10nm工艺晶体管密度不过每平方毫米5510万个，仅相当于Intel的一半多点，7nm则是每平方毫米1.0123亿个，勉强高过Intel 10nm。
至于台积电、GF两家的7nm，晶体管密度比三星还要低一些。
换言之，仅就晶体管集成度而言，Intel 10nm的确和对手的7nm站在同一档次上，甚至还要更好！另外，Intel 10nm的最小栅极间距(Gate Pitch)从70nm缩小到54nm，最小金属间距(Metal Pitch)从52nm缩小到36nm，同样远胜对手。
事实上与现有其他10nm以及未来的7nm相比，Intel 10nm拥有最好的间距缩小指标。
Intel 10nm的其他亮点还有：
－ BEOL后端工艺中首次使用了金属铜、钌(Ru)，后者是一种贵金属
－ BEOL后端和接触位上首次使用自对齐曝光方案(self-aligned patterning scheme)
－ 6.2-Track高密度库实现超级缩放(Hyperscaling)
－ Cell级别的COAG(Contact on active gate)技术
不过，Intel这管大牙膏要什么时候挤出来，就不得而知了。
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