與非網 2 月 27 日訊，日前，國產芯片代表企業長鑫存儲官方正式上線DRAM產品，包括 8Gb DDR4 芯片、8GB DDR4 內存條、2GB/4GB LPDDR4X 產品，均符合國際通行標準規範，相較於上一代 DDR3 芯片，擁有更快的數據傳輸速率，更穩定的性能和更低的功耗，將廣泛用於目前主流市場，包括電腦、臺式 PC、手機、平板、電視、人工智能等消費類電子產品。
據瞭解，長鑫存儲 8Gb DDR4 芯片是第一顆國產 DDR4 芯片，2666 Mbps 速率，電壓 1.2V，工作溫度 0℃至 95℃，78 - ball FBGA、96 - ball FBGA 兩種封裝規格，其高速數據傳輸、支持多領域應用、多產品組合，並有充分的可靠性保障。該芯片也是目前國際原廠三星、SK 海力士、美光主流量產的產品。不同的是，國際原廠三星、美光、SK 海力士 DRAM 技術將在 2020 年加快向第三代 10nm（1znm）技術過渡，並將大規模量產 16Gb DDR4，預計長鑫存儲也會跟進，快速向更先進和更大容量的 DRAM 發展。
8GB DDR4 內存條是長鑫存儲自主開發設計，電壓 1.2V，工作溫度 0℃至 95℃，260 - pin SODIMM 封裝，2666 Mbps 速率，其高容量、高性能等優勢，以及可靠性保障，可滿足 PC、電腦、電視等主流市場需求。
LPDDR4X 內存芯片號稱匹配主流需求，兼備高速度與低功耗，可提供超高續航能力、超低功耗設計、穩定流暢體驗，規格方面單顆容量 2GB、4GB，頻率 3733MHz，電壓 1.8V、1.1V、0.6V，工作溫度 -30℃至 85℃，200ball FBGA 封裝。可滿足要求高速和低功耗的移動市場需求，包括中 / 低端手機、平板，以及智能手錶 / 手環、AR/VR 等消費類產品需求。
長鑫存儲從 Polaris 獲得大量 DRAM 技術專利的實施許可，這些專利來自 Polaris 2015 年 6 月從奇夢達母公司英飛凌購得的專利組合。2016 年 5 月長鑫存儲在安徽合肥啟動，總投資 1500 億元，專業從事 DRAM 內存的研發、生產和銷售，目前已建成第一座 300 毫米晶圓廠並投產，並通過專用研發線快速迭代研發，結合當前先進設備大幅度改進工藝，開發出了獨有的技術體系。
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