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華為已經具備了高端芯片的研發能力，但是並不具備芯片生產的能力，一般是交由臺積電、中芯國際這樣的芯片代工廠完成。說到芯片代工，最重要的設備便是光刻機。高端光刻機的生產幾乎被荷蘭ASML所壟斷，中芯國際花費1.2億美金從其預定了一臺EUV光刻機。不過美國為了限制我國芯片的發展，持續對荷蘭政府施壓，導致至今這臺EUV光刻機也沒能夠到中芯國際的手上。
不過，就在昨天中芯國際2019年9第四季度電話財報會議中傳出了好消息，即便不使用EUV光刻機也有望突破同規模的7nm工藝製程芯片。
不久前，美國計劃將“源於美國的技術標準”這一指標由25%降至10%，這或將會對華為高端旗艦芯片代工造成一定的影響。臺積電表示華為7nm工藝製程的芯片尚在10%的範圍內，並不會對此受到影響。不過在高端芯片生產上依然存在一定的隱患，很難說美國是否會進一步下調比例空間，並且未來隨著華為高端芯片需求量的擴大，也很容易超過這一限制。另外一件事情同樣也值得警覺，那就是臺積電以庫存為由削減了華為晶圓產能20%的訂單。
總之一句話，核心技術如果不能夠掌控在自己手機，始終將會受制於人。中芯國際本次有望突破7nm工藝製程芯片無疑是一個好消息。
中芯國際聯席CEO梁孟松（半導體技術大牛，先後供職於臺積電、三星，入職中芯國際之後，帶領公司突破了28nm、14nm工藝製程，12nm進入客戶導入階段）介紹了中芯國際芯片生產的相關情況，中芯國際14nm工藝製程已經進入到量產階段，華為也已經將其14nm芯片的生產交由中芯國際來代工。
我們主要來說說中芯國際有望突破7nm工藝製程的事情。據梁孟松博士介紹，中芯國際研發了N+1、N+2工藝，N+1與現在的14nm工藝相比，性能有20%的提升，功耗將會降低50%，並且SoC面積對比減小55%。如果從性能上來看，該工藝與7nm稍有差距，但是功耗要低的很多。並且中芯國際還有N+2方案，這是面向高性能的一種方案，成本也會有所增加。因此，可以將中芯國際N+1、N+2工藝看做是十分接近7nm工藝製程的一種替代解決方案。該技術將於2020年底開始試驗產能，將於2021年實現量產。
最後再來談談中芯國際購買的這臺EUV光刻機的問題，荷蘭ASML總裁雖然十分願意將這臺光刻機出售給中國，他認為中國不會複製也無法複製EUV光刻機。不過當前荷蘭政府一直不肯下發這臺光刻機出口許可證，未來並不排除ASML公司將這臺光刻機賣給其他公司的可能（光刻機畢竟屬於搶手貨，屬於有錢也不一定能夠買到的設備）。
不過好在中芯國際N+1、N+2工藝都不會使用到EUV光刻工藝，到貨與否對其影響並不是很大。如果未來發生不可預測的情況，中芯國際N+1、N+2工藝將會成為高端旗艦芯片很好的替代方案。
關於中芯國際自研N+1、N+2工藝的事情，您怎麼看？歡迎大家留言討論，喜歡的點點關注。
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