在整個半導體產業鏈中，存儲芯片扮演著至關重要的角色。國內從過去完全缺席的困境，經歷多年夜以繼日的研發以及國外專利支持，已經在 DRAM 內存上打破國際壟斷。
三年時光，1500 億人民幣投資，合肥新橋機場南側的一片農田上，一座規模宏大的內存芯片製造廠拔地而起。這座廠房的擁有者，正是國內存儲芯片“三駕馬車”之一的長鑫存儲。
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三年前，在幾乎沒有技術和人才基礎的情況下，長鑫存儲從零起步一點一滴攻關克難。今年 9 月，長鑫存儲終於取得突破性進展，其內存芯片自主製造項目正式投產，10nm 級別第一代 8Gb DDR4 首度亮相，技術上打破了國外壟斷，工藝上也僅僅落後兩三年。
昨天長鑫存儲再次宣佈，將通過專利許可公司 WiLAN 購買來源於英飛凌的 DRAM 技術專利實施許可。這些專利將使長鑫存儲在業內擁有競爭優勢，在進一步強化自家專利護城河同時，還能持續開發 DRAM 關鍵技術，追趕國際先進工藝。
專利事關生死
存儲芯片好比行軍打仗的糧草，幾乎所有智能電子設備都離不開它，智能電視、臺式電腦、筆記本電腦、手機、平板皆是如此。去年，我國進口了超過 900 億美元的存儲芯片，這其中三星電子、SK 海力士和美光電子三分天下，而國內廠商的份額為零。
進口存儲芯片每年耗費大量外匯，因而國內近年來集中力量發展存儲芯片。國家對包括存儲芯片在內的半導體產業實行大力度政策支持，尤其在融資途徑方面多樣助力，讓企業得以茁壯成長。在國家的高度重視和企業大量投入下，國內三大存儲芯片基地迅速崛起。其中，紫光旗下的長江存儲主要是 NAND 閃存，位於合肥的長鑫存儲與位於福建的晉華存儲都聚焦 DRAM 內存。
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國際上，三星電子、SK 海力士和美光電子佔據了 95% 以上的市場份額，DRAM 存儲芯片的專利也被三家牢牢把控。曾經與合肥長鑫一時瑜亮的福建晉華沒能撐到投產那一天，因為與美光電子產生了專利糾紛被美國限制，發展前景並不樂觀。
汲取了晉華的失敗教訓，合肥長鑫異常重視 DRAM 存儲芯片專利儲備。今年 5 月 15 日，長鑫存儲董事長兼 CEO 朱一明曾表示，從技術來源角度，合肥長鑫與奇夢達合作，並結合了長鑫自己的技術。通過與奇夢達合作，將一千多萬份有關 DRAM 的技術文件（約 2.8TB 數據）收歸囊中。
奇夢達，這家已經破產的公司曾經是 DRAM 行業的技術領導者，一度做到世界第二。當年在 46 納米堆疊式架構上，奇夢達成功研發了在全行業應用至今的蜂巢式電容排布和埋入式字線晶體管技術。
如今，奇夢達雖然不在了，但是這些技術專利依舊保存在母公司英飛凌手中。此番長鑫存儲繼續通過 WiLAN 購買英飛凌的 DRAM 專利，實際上是對自己原有 2.8TB 奇夢達技術文件的補充，用“買買買”的方式形成專利防禦，以避免出現福建晉華那樣的“悲劇”。
長鑫趕超有望
存儲芯片產業發展不會一蹴而就，需要長期的資本投入與持續的技術積累。來自奇夢達的專利使得長鑫存儲站在巨人的肩膀上前進，不過僅靠拿來主義並不能一勞永逸解決問題，領先者的技術仍在前進，止步不前只會讓差距越拉越大。經過不懈的努力，長鑫存儲已經把將奇夢達的 46nm DRAM 推進到了 10nm 級別，距離三星、美光的技術僅一步之遙。
圖源：micron
目前，三星、美光、SK 海力士 DRAM 工藝水平也停留在 10nm 級。不過，10nm 級的製程並不是 10nm 製程，而是由於 20nm 製程節點之後的 DRAM 製程升級變得困難，所以 DRAM 的 指標不再那麼精確，有了 1x 納米、1y 納米及 1z 納米等製程節點之分。簡單來說，1x 納米制程相當於 16-19 nm，1y 納米制程相當於 14-16nm ，1z 納米制程則是大概為 12-14nm，而在這之後還有 1α 及 1β 製程節點。
長鑫存儲的 10nm 級別還位於第一代的 1x 納米，而美光與 SK 海力士已經開始量產第二代 1y 納米制程，三星更是率先量產第三代 1z 納米制程。與國際三大巨頭相比，長鑫存儲還有很長一段的路要走。不過有個好消息，DRAM 製程工藝進步快到瓶頸了。DRAM 製程向 1α 納米制程推進的難度愈來愈高，必須開發與當前不同的新材質，並提高製程穩定性，才能進入量產。因而，長鑫存儲可以利用這段機遇期，在 1α 納米制程工藝成熟之前趕上三星、美光、海力士。
圖源：IT 之家
DRAM 產業三家壟斷的格局已然持續多年，正因如此近年來 DRAM 芯片漲價不斷，讓三大巨頭賺翻了天，淨利潤高達 50% 以上。長鑫存儲的突破有機會打破三家壟斷局面，改變“三足鼎立”的 DRAM 市場格局。長鑫第一代 10nm 級別 DRAM 內存打響了第一槍，收購英飛凌 DRAM 專利算是打響了第二槍。前進的號角已經吹響，讓我們期待長鑫在這個市場的表現......
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