皮秒被稱為激光中的法拉利，能夠快速地祛斑嫩膚，受到了無數愛美人士，乃至明星名媛們的青睞。

目前市面上的皮秒激光有兩種，一種是皮秒（Picosure），另一種是超皮秒（PicoWay）。

普通人在選擇時常常會感覺到疑惑，它們倆有啥區別？要選哪一個呢？

今天小柏就帶來了一篇純乾貨，搞不清楚的人可要看好啦！

皮秒和超皮秒有啥區別？

01.國籍身份不同

雖然名字聽上去很相近，但它們卻出身於不同的名門世家。

皮秒（Picosure）是美國賽諾秀公司的產品，獲得美國FDA、中國CFDA認證。

超皮秒（Picoway）是以色列賽諾龍公司的產品，獲得歐盟CE、美國FDA、中國CFDA認證。

外觀上也是非常鮮明的“一黑一白”不同外觀。

02.脈寬不同，超皮秒更短更快

皮秒（Picosure）開創的是超短脈寬激光技術的新紀元，在它出現之前，我們普遍使用的是納米激光。納米比皮秒慢，1000 皮秒 = 1納秒。

皮秒激光比納米激光的脈寬短，時間快，能量的聚焦也就越大。所以周圍的皮膚組織還沒反應過來時，聚焦的能量已經退出了治療區域，帶來的熱損傷也就越小。

超皮秒（PicoWay）比皮秒（Picosure）多了一個“超”，就是因為它在脈寬上做到了極致

。

皮秒（Picosure）的脈寬為750ps，而超皮秒（PicoWay）的脈寬只有300ps，所以有一種說法是皮秒（Picosure）只是亞皮秒，超皮秒（PicoWay）才是真皮秒。

03.作用機制不同

雖然同樣是破壞黑色素顆粒，讓色素顆粒被身體吞噬、代謝、排出體外，但皮秒和超皮秒的作用機制還是有所差別。

皮秒（Picosure）採用的是光機械作用，有且只有一個波長755nm。

755波長對於黑色素極其專一，所以用它來打氣球都不會破，但它很可能會誤傷到

與色斑顏色相近的深色皮膚。

超皮秒（PicoWay）採用的是光聲作用，有532nm、785nm、1064nm三個波長，是全球首例三波長的美容激光

（對亞洲人來說，532nm和1064nm基本能覆蓋淡化色素的需求，785nm並不常用）。

不同的靶組織對應不同的波長，所以超皮秒是靶向治療，更有針對性且不易對正常皮膚產生誤傷。

04.核心技術不同

皮秒（Picosure）有三個治療頭，分別是zoom、平鏡、蜂巢透鏡，其中蜂巢透鏡是它的核心技術，有130個衍射微透鏡陣列，能將激光能量進一步地聚焦到治療區域，在不破壞皮膚屏障的同時，通過高效震盪波刺激膠原蛋白新生。

超皮秒（PicoWay）的核心技術是Resolve全息像素技術，有532nm和1064nm兩個治療頭。

它能將平光平分為100個相同光束，確保在所有皮膚類型的治療結果精確、可預測並且一致。讓光束能量分佈更均勻地作用到皮膚，利用光聲波作用到更深層的真皮上層，形成空穴，刺激皮下新生膠原蛋白。

且治療通常僅影響4-25%治療部位，沒有其他點陣激光在做皮膚年輕化治療時常有的殘餘熱損傷。

說了那麼多，最後我們到底該選皮秒還是超皮秒呢？

皮秒和超皮秒到底怎麼選？

皮秒和超皮秒在最初都是用於洗紋身治療，之後演變為對色素性皮膚問題的治療。所以一般的色斑、色素沉著、痘印問題，兩者都能夠治療。

但因為兩者作用機制、核心技術等方面的區別，也讓它的適應人群有所差別。

01.天生皮膚較黑，選超皮秒

因為皮秒的755nm對於所有深色都特別有效，易誤傷到我們的深色皮膚

，也更容易出現色沉反黑。而超皮秒的1064nm激光能量對黑色素針對性會弱一些，所以更適合膚色較深的亞洲人。

02.特別怕疼的人，選超皮秒

因為

超皮秒的脈寬短、脈衝塊，依靠光聲作用震碎色斑，光熱效應低，帶來的舒適性更強，產生的疼痛感也相對皮秒更低。

03.害怕有結痂沒恢復期的，選超皮秒

皮秒祛斑時會爆破黑色素，所以易出現皮損，而超皮秒是震碎黑色素所以出現皮損的幾率更小。因此，沒有太多恢復時間，不想留下結痂影響工作生活的，更適合選超皮秒。

04.皮膚天生白皙，做日常維養選蜂巢皮秒或超皮秒

如果天生膚色白皙，只是將皮秒作為日常的維養手段，選蜂巢皮秒或超皮秒都可以。

蜂巢皮秒（皮秒中的蜂巢模式）對膠原和彈性纖維的刺激增生效果顯著，在改善膚質、嫩膚、去黃上效果明顯（⚠，一定要選蜂巢模式）。

超皮秒的全息透鏡能讓光束更均勻更深層的作用於皮膚，對整體膚質亮白淨透的效果更好。

Reference：

[1]牛媛.周晨曦.高琳.皮秒激光在皮膚美容中的應用.中華皮膚科雜誌.2016.12.

[2]Fang Q and Hu X-H .Modeling of skin tissue ablation by nanosecond pulses from ultraviolet to near-infrared and comparison with experimental results.IEEE J Quantum Electronics 2004;40(1):69-77.