說到碳化硅的運用，很多人首先想到的就是它的強度高嗎?硬度高嗎?耐磨性好嗎?是否耐高溫等一系列問題。其實作為耐火材料這一方面這些問題都是必須要考慮到的，畢竟所處的“崗位”不一樣，難道碳化硅就只能本本分分的做一個耐火材料，非也非也!那麼
那個廠家的碳化硅用途廣呢?碳化硅到底有多大的“殺傷力”呢?下面就讓千家信的小編給大家詳細介紹一下碳化硅的“特異功能”吧!
碳化硅的用途
政策分析
2015年5月，國務院發佈《中國製造2025》，其中，以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導體功率器件被提到了四次。
2018年7月，中國首個《第三代半導體電力電子技術路線圖》正式發佈。路線圖主要從襯底/外延/器件、封裝/模塊、SiC應用、GaN應用等四個方面進行討論。提出了我國發展第三代半導體電力電子技術的路徑建議，並對未來工業發展進行了預測。
碳化硅的新科技
國內碳化硅的發展
至於單晶襯底，國內襯底主要是4英寸。目前，已經開發了6英寸導電碳化硅襯底和高純度半絕緣碳化硅襯底。根據CASA數據，山東天嶽、天科合達、河北同光、中科節能均完成了6英寸襯底的研發，中電科裝設備則開發了6英寸半絕緣襯底。
碳化硅國內發展
碳化硅的特性與優勢
碳化硅(SiC)是由硅和碳組成的化合物半導體材料，在熱、化學和機械方面非常穩定。碳原子和硅原子的不同結合使碳化硅具有不同的晶格結構，如4H、6H、3C等。4H-SiC由於其較高的載流子遷移率和較高的電流密度，常被用作功率器件。
碳化硅的特性
碳化硅器件相對於硅器件的優勢主要來自三個方面:降低功率轉換過程中的能量損耗、更容易小型化以及更高的耐溫高壓性。
1、能量損耗的降低:碳化硅材料的開關損耗極低，所有碳化硅功率模塊的開關損耗遠低於等效的IGBT模塊。此外，開關頻率越高，所有碳化硅功率模塊與IGBT模塊之間的損耗差異越大，這意味著所有碳化硅功率模塊不僅可以大幅降低損耗，還可以實現對IGBT模塊不擅長的高速開關工作的高速開關。
碳化硅的特性
2、低電阻使小型化變得更容易:碳化硅材料具有較低的導通電阻，在相同電阻下可以減小芯片面積，碳化硅功率模塊的尺寸只能達到硅的1 / 10左右。
3、耐高溫:碳化硅的禁帶寬度為3.23ev，相應的本徵溫度可達800攝氏度，高於硅。碳化硅材料的熱導率為3.7W/cm/K，而硅材料的熱導率僅為1.5W/cm/k，較高的熱導率可以帶來功率密度的顯著增加，同時散熱系統的設計更簡單或者直接採用自然冷卻。
而對於生產碳化硅的廠家也是琳琅滿目，質量和價格也是參差不齊，我們在選擇碳化硅的時候也要根據自己的需求來選擇合適的廠家進行合作。至於碳化硅的用途我們也大概都瞭解了，除了作用傳統的耐火材料，新科技的應用也是越來越多。
碳化硅廠家
以上就是小千給大家介紹的“哪個廠家的碳化硅用途廣”，其實綜合現在的社會發展和現代會進程的加快，碳化硅在新科技方面也發揮著重要的作用，我們不得不說碳化硅在新時代的“殺傷力”巨大，以至於到後期的高科技產品都離不開它。
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