SK海力士成功開發出了層數最多的96層4D(四維)NAND閃存半導體。
11月4日，SK海力士公司宣佈，“公司將主要應用於3D閃存的CTF結構與PUC技術結合起來，在上月領先全球率先研發出96層512Gbit的4D NAND閃存半導體，計劃在今年年內進行第一批量產”。
96層NAND閃存由世界排名第一的三星電子和排名第二的東芝半導體在今年下半年首次投入批量生產，是目前性能最強的NAND閃存半導體。
SK海力士在去年4月研發出72層3D NAND閃存之後，用了短短1年半就攻克了96層半導體技術，這種半導體體積比現在的72層512Gbit 3D NAND閃存縮小了30%以上，可以搭載到智能手機移動零部件之中，每張面板可以生產的記憶容量(bit)提升1.5倍，可同時處理的數據量更是提升一倍至業界最高水平的64KB，一個新的芯片產品可以取代2個原來的256Gbit 3D NAND閃存。
SK海力士強調，“新芯片的讀寫能力分別比現在的72層產品提高了30%和25%”。
SK海力士之所以自稱“全球首次”，是因為該公司不同於其他半導體公司採用的2D NAND浮柵型閃存單元技術，而是將3D NAND使用的電荷擷取閃存(CTF，Charge Trap Flash)結構與外圍電路(PUC，Peri Under Cell)構造結合起來開發出了新的技術。
PUC技術將用來驅動晶胞的周邊電路堆疊在儲存數據的晶胞陣列下方，相當於將公寓樓(NAND閃存)所需要的停車場從公寓旁邊改建到了地下空間，以此方式提高空間使用效率。
SK海力士計劃在上月於忠北清州市正式建成並啟動的M15工廠批量生產新開發的96層4D NAND閃存半導體。
SK海力士能否憑藉新產品在競爭力相對弱勢的NAND閃存市場站穩腳跟並爭取NAND閃存市場的主導權，倍加受人關注。SK海力士在全球DRAM市場僅次於三星電子排名第二，但在NAND閃存市場卻以大約10%的份額之差排在三星電子、東芝、西部數據、美光之後，排名第五。
在去年SK海力士的銷售額中，NAND閃存所佔比重保持在22%左右，而在今年上半年，這一比例下降到了18%。
此外，隨著半導體存儲器的供應增加和需求停滯，NAND閃存半導體的價格在今年下降了9%以上。SK海力士計劃通過擴大新產品的供應打破這樣的情況。
SK海力士首先計劃在年內推出搭載4D NAND閃存的1TB容量固態硬盤(SSD)。固態硬盤是一種利用NAND閃存半導體儲存信息的新一代大容量儲存設備。
SK海力士公司常務金正泰(音，負責NAND市場營銷)表示，“給予CTF技術的96層4D NAND閃存擁有業界最頂級的性能和成本優勢”，“我們還正利用相同技術研發新一代128層4D NAND閃存”。
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