这是一片能正常使用的创维8S16机芯板，我们接下来为大家演示由iFix团队专门针对安卓智能主板的Nand写入全新算法，自动识别跳过坏块，然后重组数据，完美达到不丢数据的目的。
现在我们先从正常板备份系统软件，先从正常的主板上拆下Nand Flash。
放入Nand Flash转接座。
点智能识别，选择NAND FLASH后确定，会自动识别到芯片型号。
点读取，弹出保存文件名，编辑一个能识别的文件名后点保存。
开始读取，耐心等待读取完毕。
在这里顺便给大家介绍一点Nand Flash的位反转知识。
Nand Flash的位反转现象，主要是由以下一些原因/效应所导致：
1. 漂移效应：漂移效应指的是，Nand Flash中cell的电压值，慢慢地发生了变化，变的和原始值不一样了。
2.写入干扰所产生的错误：此现象有时候也叫做过度写入效应。对于某个页面的写入操作，使得对应的某个位的数据，产生了永久性的变化，即Nand Flash上这个位的值变了。
3.读操作干扰产生的错误：此效应是，对一个页进行数据读取操作，却引起非相关的其他的页面的某个位发生跳变。
如果只是对于单个位的跳变，也许问题看起来并不是很严重。然而，如果恰巧是某个重要文件的某位变化了，那么问题就严重了。如果位反转，只是读取数据出来时候报告出来的位反转，那么很简单，只需要重新再去读取一次数据，即可解决此问题。但是，如果是Nand Flash物理上的某个位真正的翻转了，那么需要通过对应的ECC校验去解决。
相对Nor Flash来说，Nand Flash中，位反转的现象，相对更加容易发生。因此，Nand Flash厂家都推荐在使用Nand Flash的时候，最好要应用ECC算法。当Nand Flash应用于多媒体信息，比如存储音视频文件，那么位反转所造成的问题，并不严重。当用于存储操作系统，配置文件和其他敏感信息的时候，必须要用ECC，以实现数据的校验，保证数据的正确性。所以在实际维修中，iFix给出的建议是Nand Flash尽量用原型号，不要买残次品，读写时候保持引脚干净，引脚及芯片上的残留助焊剂必须彻底清洗并用风枪吹干。
备份成功后，取下母片，放入一片空白的Nand Flash。
然后点设置，弹出来的小窗口有硬拷贝和跳过坏块并重组数据，我们选跳过坏块并重组数据。
将前面备份好的文件拖入编程器操作界面后点“写入”，也可以直接点“写入”选择文件。
可以看到算法已更改为跳过坏块并重组数据。
遇到坏块会自动跳过，并自动重组数据保证数据的完整性。
取下写好的Nand Flash放入智能主板。
主板上电，验证写入结果。完美开机，验证成功！
观看完整视频请访问腾讯视频：https://v.qq.com/x/page/i0712rnqdgf.html
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