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一、中國存儲器產業發展需要跨過“融入市場”與 “自主可控”兩道門檻
1.發展傳統存儲器是要快速融入市場，是中國產業 積累經驗的探索之路
在目前的存儲體系中，WUM內存和1UND閃存占主導地位，產業規模超過整體存儲產業的90%。然而全球市場規模超700億美元的DRAM市場被韓、美企業所瓜分，NAND市場也被韓、美、日企業所瓜分，我國存儲產業嚴重受制於人。
雖然隨著實現摩爾定律的腳步放緩，DRAM和NAND技術發展都面臨嚴重瓶頸，但未來一定時期內仍將佔據市場主導地位。因此，我國此時發展傳統存儲器DRAM和NAND可以快速融入市場，積累技術和人才的同時，實現國內存儲產業全面國產化，縮小和國外龍頭企業之間的差距，逐步實現存儲產業彎道超車。
2. 發展新型存儲器是中國未來具備技術獨立和產業獨立的必經之路
大數據、雲計算和人工智能的出現要求容量大、速度快的非易失存儲器。然而在現有的存儲體系中，DRAM雖然數據訪問速度快，但容量太小，而且斷電後數據丟失。NAND雖然容量大，但訪問速度太慢，無法適應新興產業的需求。在此情況下，基於新的存儲機理的新型存儲器不斷湧現，目前業界主要的新型存儲器包括相變存儲器、阻變存儲器以及磁阻存儲器。
對於上述三種新型存儲器類型，各大存儲器大廠也都在紛紛參與佈局，不斷推出產業化產品及測試芯片，都希望能在未來成為存儲產業新的主導。對於這些有望在未來改 變存儲產業格局的新型存儲技術，大力加強產業投入，逐步實現技術自主可控，是我國未來具備技術獨立和產業獨立的必經之路。
3.傳統存儲器關注專利風險防範與化解，新型存儲器關注專利戰略謀劃與佈局
目前我國已經開始投入大量資金和人力用於研發製造 DRAM和NAND芯片。之前的分析表明我國NAND產業存在知識產權風險。在DRAM存儲器領域，各公司之間專利訴訟非常頻繁，相較於國外DRAM寡頭近萬件的專利儲備，我國企業的專利儲備相當薄弱。
2017年12月存儲寡頭美國美光已經向我國DRAM企業發起訴訟，可見我國發展傳統存儲器DRAM 和NAND專利風險的防範與化解迫在眉睫。
另一方面，新型存儲器可能成為未來產業新的主導，國內發展該產業勢在必行。但是，我國目前在新型存儲產業投入較少，主要是科研院所進行研究，企業介入程度較低，產業化進程滯後；同時，新型存儲器類型多，產業化進程各不相同，產業路徑和模式還不明確。
如何基於國內已有的技術和人才資源，合理進行專利戰略謀劃與佈局，在新型存儲時 代逐步實現我國存儲產業的自主可控是目前亟待解決的問題。
二、傳統DRAM存儲器產業化存在風險，需有效化解
1.全球DRAM專利佈局基本完成
1）全球專利申請量達十萬餘件，申請由美曰韓主導，技術步入成熟期
圖1：DRAM全球專利申請趨勢
圖1是DRAM全球專利申請趨勢圖，可以看出，自上世紀六七十年代DRAM技術出現開始，DRAM技術的發展經歷了技術萌芽期，至八十年代進入快速發展期，形成穩定的技術格局。
自本世紀開始，DRAM技術專利申請量呈現斷崖式下降， 在2010年左右，該項技術的申請量有過短時間的波動，但是整體依然呈現下降趨勢。同時，圖1還顯示出美曰韓三國企業歷年申請趨勢，其與全球整體趨勢基本一致。
此外，雖然當前DRAM主場份額主要由美國美光以及韓國三星、海力士佔據，但是就專利申請來看，曰本企業仍在佈局DRAM專利技術，以維持在該產業中的威懾力。
2）國內專利申請平穩有降，國內申請人佈局力度不足
圖2：DRAM國內專利申請趨勢
圖2是DRAM國內專利申請趨勢圖，整體專利趨勢平穩有降。國內申請人從2000年之後才開始進行專利申請，且每年專利申請佔比較小，佈局力度明顯不足。
3）三星、海力士、美光處於領先地位，我國專利儲備極其薄弱
圖3：DRAM全球重要專利申請人
從全球申請人排名的情況來看，如圖3所示，DRAM存儲寡頭三星、海力士、美光具有接近萬件以上的專利申請，即便已經退出市場的廠商依然有至少超過4000件以上的專利儲備，而國內申請人專利申請僅在200件以下，專利儲備極其薄弱。
2.專利訴訟一觸即發，產業護航勢在必行
我國DRAM產業處於起步期，與三星起步期相比資金、 政策、人才條件都已經初步具備，但缺少來自DRAM大廠的有效授權。同時由於隨著dram技術趨於成熟，產業開始進入到訴訟高發期，與三星起步期相比，外部環境發生了巨大的變化，圖4給出了專利申請量與訴訟量的對比情況。
圖4：專利申請量與訴訟量的對比
隨著時間的推進，包括三巨頭三星、海力士、美光在內的國外存儲器廠商積累了大量專利，而我國dram產業由於還處於起步期，專利積累極為薄弱，在產業進入訴訟高發期的背景下，我國既未獲得有效技術授權，專利儲備又嚴重不足，難以與巨頭形成交叉許可，因此存在專利風險。
1）我國將同時面臨三重專利訴訟風險
DRAM產業由群雄並起發展為寡頭壟斷，但是除了三巨頭(三星、海力士、美光）外，退市廠商也持有大量有效專利。如圖5所示，三巨頭在全球存儲器重要市場美國擁有超過2000件授權有效專利，同時已經退出市場的英飛凌、富士通、 IBM、東芝等都持有數量相當可觀的美國授權有效專利。
圖5：DRAM美國授權有效專利持有人分佈情況
另一方面，從訴訟的統計情況來看，專利除了成為實體制造商排擠對手的武器外，還是NPE攫取利潤的工具。由此可知，我國將同時面臨來自三巨頭、退出市場的廠商以及NPE的三重專利訴訟風險。
2）製造技術和控制技術訴訟頻發
圖6：DRAM專利訴訟技術分支分佈
圖6給出了DRAM專利訴訟技術分支分佈情況，可以看出DRAM訴訟中包括半導體制造技術和控制技術，其中半導體制造技術佔比30%，控制技術佔比70%，存儲單元結構、架構和製造工藝是半導體制造技術的訴訟熱點，佔比分別達 到54%、27%、17%。DDR接口技術是控制技術的訴訟熱點，佔比達到58%。
3.製造技術鳳險評估
1）存儲單元結構、製造工藝和整體架構存在一定數量的核心專利
對於常規的半導體制造技術，最重要的晶圓芯片內部的陣列整體架構變化不大，無電容架構雖有專利申請但未實現產業化，目前主流產品均採用1晶體管1電容（1T1R）的架構，該基礎專利已經過期，架構變化嚴重依賴存儲單元結構的變化。
同時，存儲單元結構、製造技術的演進均是為了減小存儲單元面積、增大容量，對於40nm以下DRAM半導體制造技術，存在一定數量的核心專利。
對於整體封裝架構，傳統二維打線封裝架構和倒裝封裝架構基礎專利均已過期。對於目前產業應用前景較廣的三維 DRAM封裝架構，雖然三維堆疊封裝架構基礎專利已經過期，但是能實現高帶寬DRAM產品的三維TSV封裝架構以及5D/3D封裝架構都存在一定數量的核心專利。
2）40nm以下的核心專利構成知識產權風險
圖7：國內企業專利佈局情況
圖7示出了國內企業已公開專利的技術分佈情況，其中紅色部分是40mn以下製程專用製造技術，藍色部分為通用製造工藝。由此可知，未來主要採用的是40mn以下的製造技術，對涉及這些技術的核心專利申請人進行分析發現， DRAM生產廠商半導體制造核心專利佔比達到66%，風險專利主要被DRAM生產廠商美光、三星、海力士掌握，如圖8所示。
加上H1R的整體架構基礎專利已經過期，對於DRAM大廠而言，當前幾乎壟斷了市場，而我國企業則屬於新進入的競爭者，這些DRAM大廠很有可能利用手中的專利武器發起訴訟從而達到排除竟爭者的目的。
因此這些大廠所掌握的40mn以下的製造技術和相應的存儲單元結構核心專利對我國產業構成較高知識產權風險。此外，退出市場的廠商也持有相當比例的核心製造技術專利，其專利風險也同樣不可忽視。
圖8：核心製造技術專利權人分佈
4.控制技術風險評估
1）DRAM的DDR接口標準必要專利成為訴訟利器
DRAM發展的歷史上發生過大量的專利訴訟，圖9給出了DRAM發展史上主要的訴訟發起者的訴訟規模（訴訟規模=訴訟專利件數*被告數量）排名情況。
圖9：主要訴訟發起者規模排名
其中Rambus發起的專利訴訟規模最大。對Rambus涉訴的專利進行分析發現，全部的21項專利都屬於DDR接口標準必要專利，其中US7287109B2、US6591353BKUS6470405B2 涉訴規模最大，被告企業達29家。由於標準必要專利的控制力強，取證容易，成為了DRAM領域的訴訟利器。
2）DDR接口標準必要專利已發展至DDR4
DDR接口從DDR1發展到DDR4已歷經4代，DDR2-DDR4 在DDR1的基礎上引入了 一系列特徵從而實現帶寬的不斷增加和電壓的不斷降低。因此，DDR接口標準必要專利由DDR1 基礎型專利和DDR2-4改進型專利構成。
3） DDR2-DDR4改進型專利構成知識產權風險
由於DDR的基礎專利已經過期，對DDR2-DDR4改進型專利進行分析，主要權利人排名情況如圖10所示。
圖10：DDR核心專利權利人排名
DDR2-DDR4改進型專利主要掌握在現存的DRAM廠商海力士、三星、美光和CPU廠商英特爾手中，佔比達到53%，因此被這些DRAM廠商所掌握的DDR核心專利對我國DRAM產業構成了較大的專利風險。此外，已經退出市場的廠商、NPE和小型存儲企業也持有相當部分的DDR核心專利，其風險也不可忽視。
5. 建議積極引進合作，化解專利風險
1）尋求專利許可，合理控制授權許可費
國內企業在尋求專利許可時，應通過談判將授權許可費控制在合理範圍內，不應超過該許可費最高估值。
2） 尋求核心專利收儲
DRAM歷史上發生過專利收購的價格並不統一，但專利的價值主要取決於市場上是否存在侵權的產品，同時這些侵權產品的侵權證據是否容易收集。除此之外，專利許可買賣歷史及價格、專利的壽命、市場容量以及消費需求等也是影響專利價值評估的至關重要的因素。
6.佈局核心專利，參與標準制定，化解專利風險
積極佈局易於侵權判定的存儲單元結構及DDR接口技術核心專利，跟隨JEDEC標準組織的DDR接口標準加強專利佈局。
雖然DRAM半導體制造和控制技術核心專利主要被國外存儲廠商把控，我國DRAM企業仍需要在存儲單元結構、DDR 接口技術等易於侵權判定的專利技術上積極佈局，增加可以進行反訴甚至可以主動訴訟的專利，即具備進攻屬性的專利儲備。
一方面，半導體制造上佈局垂直晶體管、杯狀電容、 高K電容、蜂巢電容結構等40nm以下存儲單元結構核心技術。另一方面，如圖11所示>DDR技術產業的佈局重點是 SRT、ODT、ASR等降低功耗的技術，我國應加強這些分支的研究和專利佈局，最終努力參與DDR接口技術新標準的制定。
圖11：控制技術專利佈局
三、新型存儲器格局未定，各國爭先佈局
1.全球存儲寡頭加大新型存儲器投入，相變、磁阻、阻變存儲器並行研發
國際存儲器巨頭對新型存儲器體現出了巨大的熱情，紛紛加大研發投入。如圖12所示，從專利申請數量上來看，國際存儲器巨頭，例如三星、美光、海力士等，均在相變、 阻變、磁阻存儲器上投入了較大的研究力量，佈局大量專利。
圖12：國際存儲器巨頭新型存儲器專利佈局情況
2.全球相變存儲器主要分為三大陣營，中國具備一定的研發實力
通過梳理相變存儲器全球技術發展路線，發現存儲材料趨向三元合金材料GST;存儲單元結構趨向集成度高的1S1R; 存儲陣列趨向實現大容量的垂直堆疊；製造工藝包括光刻、 掩膜等工藝，控制技術集中在讀寫性能的提高和多值控制。
如圖13，通過對相變存儲器的專利按照聯合申請和轉讓的情況進行共現分析。根據專利體現出的關聯度並結合產業信息，相變存儲器的申請人主要集中為三大陣營。
分別是三星和相關科研機構組成的三星陣營，英特爾、美光聯合意法半導體和OVONYX組成的英特爾、美光陣營，以及以IBM、英飛凌、旺宏電子和奇夢達為代表的IBM陣營，當然還存在如海力士、東芝等其他研究力量。中國方面，中科院也與中芯國際聯合進行研發，具備一定實力。
圖13：相變存儲器申請人聯合申請與許可關聯圖
1）英特爾與美光陣營善用全球資源，共享優質人才， 把控核心專利，實現產業領先
英特爾與美光密切關注掌握核心技術的小型創新型企業。如圖14所示，1970年英特爾和能源轉換裝置公司合作研發了世界上第一個256位半導體相變存儲器。1999年，能量轉換裝置公司則與美光前副主席建立了新的子公司 0V0NYX。
圖14：莢特爾/美光與其它公司的合作關係
2000年，英特爾與OVONYX發表了合作與許可協議; 2012年美光收購破產的能量轉換公司，獲得其下OVONYX關於相變存儲器的所有知識產權。
英特爾與美光共享優質人才，深度合作。如圖15所示，在相變存儲器領域英特爾與美光的主要發明人存在著大量交叉的現象，這說明英特爾與美光進行了深度合作研發。
圖15：英特爾與美光的相變存儲器專利中發明人的交叉情況
英特爾與美光基於收購的原型技術持續改進，搶佔關鍵節點。英特爾在存儲材料中全面進行佈局。在存儲單元結構中，英特爾主要在存儲單元結構中的控制單元上進行深入研究，提出了以雙向閾值開關（OTS)為基礎的存儲單元結構。
在存儲陣列中，英特爾先後在平面堆疊和垂直堆疊上進行專利佈局，並基於1D1R結構的三維平面堆疊方式為大容量奠定基礎。在存儲材料和存儲單元結構相繼得到突破後，英特爾注重製造工藝以及控制技術的專利佈局。
和英特爾的專利佈局策略相似，在存儲材料方面，美光同時在二元合金和三元合金積極進行佈局。在存儲單元結構上，基於Ovonyx的雙向閾值開關技術進行改進，申請雙向閾值開關以及1S1R相關專利技術。為了提高相變存儲器的存儲容量，美光主要專注於垂直堆疊技術。
圖16：美光與英特爾收儲OTS核心專利，加以改進並實現技術突破
如圖16所示，美光還進一步在與英特爾的合作研發過程中對核心專利加以改進，進行繼續研發，佈局了多篇OTS選通管改進型專利，實現技術突破。
基於在多個重要技術節點上取得的突破和技術的全面性，英特爾和美光於2015年率先量產容量為128Gb的相變存儲器一3DXPoint,在新型存儲領域佔得優勢。
2）三星關鍵技術節點研發受挫，當前重新跟隨英特爾、美光腳步
三星僅實現較小容量的相變存儲器產品。2008年，三星公司基於90nm工藝成功製備了 512Mb相變存儲器芯片，2011年基於58nm工藝製備1Gb相變存儲器芯片，2012年基於20nm工藝製備8Gb相變存儲器芯片，而隨後幾年沒有在相變存儲器實現更大容量的突破。
三星產品容量受限，後續緊跟英特爾美光步伐。在相變材料上三星佈局較為均勻，在二元合金、三元 金材料中均有佈局。在存儲單元結構方面，三星的專利技術主要集中在1T1R以及1D1R結構，並在這兩種結構上廣泛佈局，直到2013年開始追隨英特爾美光在1S1R結構上有所申請。
三星在2012年以前主要採用了傳統的晶體管或二極管作為相變存儲器的選擇器件，限制了相變存儲器容量的提升。在英特爾與美光宣佈3DXPoint技術實現了相變存儲器的技術突破後，三星在2016年以後分別對3DXPoint的存儲單元、熱絕緣層、0TS控制管等結構佈局了一批3DXPoint的外圍技術。
3）我國有望實現大容量相變存儲器
中科院微系統所是我國相變存儲器產業創新主體。相變存儲器領域，我國創新主體的專利申請量排名如下圖所示。中科院上海徽系統與信息所合作中芯國際研發生產Kb級打印機用相變存儲器芯片，是目前我國相變存儲器發展的主要力量。
圖17：我國相變存儲器申請人排名
中科院微系統所技術有望實現大容量產品，但部分核心技術被英特爾、美光搶先佈局。
中科院徽系統所作為我國相變存儲器領域申請量排名第一的創新主體，具有深厚的專利技術儲備，其專利佈局特點在於：（1)規模性：在相變存儲器各技術分支上均有完備的佈局，能夠形成大容量相變存儲器的完整技術鏈；（2)多樣性：在相變材料等關鍵技術分支上具有差異化的佈局，具有多種技術路徑，具有規避知識產權風險的可能。
但相變存儲器三大核心技術存儲材料、存儲單元結構和存儲陣列的基礎專利都牢牢掌握在英特爾和美光手中，釆用上述技術均會導致知識產權風險。
其中，僅相變材料具有多種可選的獨立自主技術路徑，一方面，我國應當在自主技術的基礎上努力尋求專利許可來發展相變存儲器產業；同時，還應當加大研發投入，在結構及陣列技術領域形成擁有自主知識產權的技術。
3.全球半導體制造企業聯合創新研發主體，共同推進阻變存儲器產業化
1）存儲器巨頭美光聯手索尼，海力士聯手惠普
如圖18所示，國外阻變存儲器產業的現狀是，各大存儲器行業巨頭已經分別生產出各自的測試芯片，但至今沒有一家公司實現量產。為了實現技術的優勢互補和強強聯合， 國外各大存儲器公司釆用公司合作的方式進行阻變存儲的研發。
具體地，惠普的材料技術聯合海力士先進的半導體制造工藝，共同實現技術突破；索尼藉助美光製造技術，共同研發推出16Gb (2GB)阻變存儲器芯片；閃迪和東芝共同 進行專利申請，率先推出32GB阻變存儲器測試晶片； CROSSBAR利用自主研發結合中芯國際的製造力量，產出1TB 存儲器。
圖18：國外主要公司合作態勢
2）中芯國際合作創新企業CROSSBAR
CROSSBAR公司藉助密歇根大學盧偉教授團隊的阻變存儲器研發力量，實現阻變存儲器快速發展的同時，與中芯國際達成合作。中芯國際利用自家低溫BE0L製程，幫助CROSSBAR代工試產阻變存儲器，將多層阻變存儲器單元結構整合至CMOS晶圓之上，正式出樣的40ntn工藝的阻變存儲器芯片實現級存儲，是目前阻變存儲器領域離商業化進程最近的產品。
但在與創新企業CROSSBAR合作過程中，中芯國際沒有在相關技術的核心節點上進行專利佈局。
4.全球半導體巨頭聯合小型創新企業，共推磁阻存儲器產業化
1）三星收購磁阻存儲創新型公司GRANDIS，快速切入磁阻存儲產業
如圖19所示，三星在2010年轉入磁阻存儲器領域，在2018年即將實現磁阻存儲器（STT-MRAM類型）的量產，三 星短時間內切入磁阻存儲器領域並實現量產的原因之一在於其尋找到合適的收購目標GRANDIS。通過收購，三星獲得磁阻存儲器（STT-MRAM類型）核心專利一百佘件。
圖19：Grandis 合作以及被併購情況
2）製造巨頭格羅方德合作創新主體EVERSPIN，共享專利技術
Everspin成立於2008年，是一家專業從事磁阻存儲器研發的創新型企業，目前市場上有兩種類型的磁阻存儲器已經量產，均為Everspin公司的產品。
如圖20所示，Everspin和半導體制造大廠格羅方德從2014年就STT-MRAM類型磁阻存儲器技術進行合作推動 STT-MRAM商業化進程，Everspin提供芯片技術，格羅方德則提供生產線以及製造工藝，併為Everspin注資2900萬美元進行STT-MRAM 的研發，二者之間共享所有知識產權。
圖20：Everspin 以及格羅方德合作模式
5.小結
1）國際存儲巨頭紛紛聯手創新型科技機構
圖21：國外相變存器產業發模式
如圖21所示，相變存儲器三大陣營中的英特爾、美光 陣營和IBM陣營都釆取研發型科技機構+存儲器製造廠的合作模式。英特爾、美光通過合作、併購獲取了 OVONYX和能 源轉換公司的核心技術，並在此基礎上加以改進實現技術領先，同時進行相應專利佈局；旺宏電子通過與IBM進行合作， 充分利用兩家企業的研發優勢，通過聯合申請大量佈局專利。
此外，在磁阻、阻變存儲器領域，該模式也被廣泛採用，如圖22所示。在磁阻領域，三星收購了 Grandis，獲取其關鍵技術，格羅方德則與Everspin簽署了合作協議。在阻變領域，中芯國際則與Crossbar取得了合作，並推出了樣片。
圖22：國外磁阻、阻變存儲器產模式
在新型存儲器領域，一些研發型科研機構有能力在技術上取得突破，但存儲器的製造，甚至僅僅是研發產品的流片都具有十分高的門檻，因此僅僅靠科研機構無法讓新型存儲器跨越實驗室與產業化之間的鴻溝。而對於存儲器大廠而言，由於新型存儲技術路線還不明朗，研發投入巨大且技術產出成果難以預計，研發風險大。
因此業內優秀的科研機構均樂於與存儲器製造廠合作，存儲器製造廠也常常通過收 購、併購科研機構，以將原型技術進行產業化，佔據新的領域高點。
通過這種合作模式，業內的創新主體們在新型存儲領域取得了一個又一個的突破，甚至有的已經率先實現大容量新型存儲器產業化，如圖23所示，“研發型科研機構+存 儲器製造廠”這種模式已成為業內實現產業化的主流模式。
圖23：新型存儲國際主流合作模式
依託這種合作模式，存儲器廠通過專利收儲、聯合申請等方式，獲取了研發型科研機構的核心技術，同時也增強了自身的專利佈局，提升產業控制力。比如，在三星收購Grandis的同時也收儲了其100餘件專利；英特爾和美光在收購能源轉換公司（ECD)的同時也收儲其20餘件專利，實現了技術突破，並基於收儲專利進行進一步專利佈局；旺宏電子和其合作伙伴IBM也進行了100餘件專利的聯合申請， 實現技術的互利共贏。
國際存儲器製造大廠與研發型科研機構合作的這種方式，迅速搶佔專利高地，完善自身佈局結構，為今後產業控制力的較量奠定基礎。
2）我國初步形成半導體廠聯合創新型機構的新型存儲研發模式
在我國，中芯國際也開始嘗試這種“研發型科研機構+ 存儲器製造廠”的合作模式，如圖24所示，中芯國際在三個存儲器領域均有涉獵，在相變、磁阻、阻變分別與中科院徽系統所、中科院物理所以及國外企業CROSSBAR進行合作。
但我國的這種合作模式與國外相比仍存在一些問題。下面將以相變領域中芯國際和中科院微系統所的合作與英特爾和 0V0NYX的合作進行對比，分析國內合作存在的問題。
圖24：中芯國際新型存儲合作情況
如圖25所示，中芯國際的申請量僅為英特爾的不足四分之一，獨立權利要求特徵較多，保護範圍較小，同時權利要求數量不多，未形成層次化保護。
圖25：中芯國際、英特爾專利情況對比
不僅僅是在專利數量和質量上，在專利佈局結構上也有較大的缺失，如圖26所示，中芯國際的專利佈局主要分佈在製造工藝，佔比近一半，而在存儲陣列和控制技術方面缺失嚴重。
圖26：中芯國際專利佈局情況
如圖27所示，在專利數量上中科院微系統所雖然有一定的積累，但仍僅為0V0NYX的一半不到，在保護範圍和權利要求數量方面也暴露了高校申請專利的短板，保護範圍小，權利要求數量少，未能形成層次化保護。
圖27：中科院微系統所、OVONYX專利情況對比
因此，在我國“研發型科研機構+存儲器製造廠”的合作模式並未充分地運轉起來，存儲器廠並未真正有效地消化、吸收科研機構的技術，並藉此完善專利佈局，提升產業控制力。具體表現為存儲器廠和科研機構的專利數量少、質量低、佈局結構不合理等。
四、我國存儲器產業知識產權戰略規劃
1.科學制定分階段知識產權戰略目標
1）傳統DRAM存儲器採取“防守進攻”專利策略
目前存儲寡頭全球擁有超過萬件專利申請，在國內擁有接近400件的專利申請。基於此，為保障我國DRAM產業安全，先力求國內市場實現與存儲寡頭企業在專利上的抗衡，累積專利申請，國內申請總量和有效專利數量基本與存儲寡頭達到同一竟爭體量。
隨後力求在全球市場實現與存儲寡頭企業在專利上的抗衡。增強專利海外佈局，力爭在我國涉及存儲產品的主要貿易目的地實現與存儲寡頭專利量達到同 一競爭體量。
2）新型存儲器採取“攻守兼備”專利策略
對於新型存儲器，我國必須從現在開始有計劃地進行戰略專利儲備。
2.多措並舉，提升關鍵技術專利質量，培育高價值專利
通過加強地方專利申請扶持政策的方向性引導、強化專利質量監控和反饋等多種方式培育dram、新型存儲器高價值專利。
重點培育涉及dram易於侵權判定技術、高帶寬產品封 裝架構的高價值專利；重點培育新型存儲核心技術分支的高價值專利。
3.引導建立我國存儲器產業知識產權聯盟，應對專利風險，增強產業控制力
引導建立我國存儲器產業知識產權聯盟，通過聯盟應對風險。力爭在未來的新型存儲時代確立知識產權優勢，產業聯盟完成從“風險防禦”階段向“產業主導”階段轉型。
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